全球半導體類股歷經市值蒸發逾 2.1 兆美元後在周三 (8 日) 嘗試反彈，費半指數來到關鍵技術分水嶺約 12000 點，以及半導體 ETF 支撐 535 美元附近。
專家最新指出，若守住 12000 點，可視為多頭對 5 月前波低點的有效「支撐測試」，反彈有望挑戰 13000 點，上方阻力位置則為 14000 點，一旦失守支撐，技術面轉空，指數恐直探 11000 點，跌幅再擴近千點。
本輪拋壓核心來自記憶體股領跌。自 6 月 22 日高點以來，追蹤 DRAM 的記憶體 ETF 已落入熊市，三星電子自高點回撤超 25%、美光跌 25％、SK 海力士更達 30%，費半指數熊市臨界點約在 11700 點。
目前，市場關注 SK 海力士本週五 (10 日) 於那斯達克掛牌 ADR。根據《路透社》報導，SK 海力士約 280 億美元規模 ADR 獲極高超額認購，顯示機構資金在板塊修正中仍願配置 AI 記憶體賽道標的，上市掛牌表現將成為檢視市場情緒的即時風向球。
分析師指出，多頭當下唯一使命是守穩 11950 點，半導體 ETF 則是守穩 535 美元，確認本輪跌勢僅為回檔測試。
在 AI 資本開支疑慮與記憶體漲價副作用尚未釐清前，費半體指數短線料續於關鍵支撐帶震盪測底。
