《富比士》EUV霸權恐被打破？「這些技術」或2030年前重塑先進晶片製造

基於多項新興技術陸續崛起，全球尖端晶片的製造方式，最快可能在 2030 年前迎來重大變革。隨著人工智慧（AI）技術熱潮持續延燒，市場對尖端晶片的需求居高不下，然而全球先進晶片的供應，長期以來仍受限於少數幾家公司所掌握的關鍵技術與產能。

根據《富比士》報導，雖然極紫外光（EUV）微影技術是目前業界製造最先進晶片的主流方案，但這並非是將微小電晶體「繪製」於矽晶圓上的唯一途徑。

目前已有多項著眼於未來的新一代微影技術正蓄勢待發，一旦成熟商用，有望取代 EUV，重新形塑尖端晶片的製造版圖。

其中，原子微影技術跳脫傳統「光」的限制，改用原子束直接在矽晶圓上蝕刻出極微細的圖案。若技術最終取得突破，晶片線寬有望在 EUV 微影的基礎上，再縮小 1 至 2 個數量級。

另一項受到關注的尖端技術方案是 X 射線微影。該技術仍延續以「光」為核心的微影架構，但將其推向更極致的境界：X 射線在電磁波頻譜中的波長比 EUV 更短（可低於 1 奈米），能量也更高，理論上能夠製造尺寸更微小的電晶體結構。

不過，截至目前，仍沒有人證明 X 射線微影設備能以足夠低的成本，以及足以支撐大規模量產的高產能，實現商業化應用。

另一個參與者是半導體新創公司 xLight。不同於另一家半導體新創公司 Substrate 所採取的顛覆式路線，xLight 尋求與現有半導體生態系共存，開發能夠融入現有架構、而非取代艾司摩爾 (ASML-US) 等設備商的技術方案。

與此同時，來自中國的技術力量同樣正在挑戰 EUV 的主導地位。上個月，華為宣布正在研發一種新型半導體架構，目標是在不依賴 EUV 技術的情況下，製造先進 AI 晶片。