最新數據顯示，中國長鑫科技上周同時被兩套貨幣、兩套估值體系定價，揭開 AI 時代半導體資產瘋狂與焦慮的雙面圖景。
長鑫科技上週四 (16 日) 啟動科創板新股申購，發行價每股 8.66 元 (人民幣，下同)，對應上市估值 5792 億元人民幣，募資約 579 億元，超越中芯國際成科創板史上最大 IPO，有望問鼎今年亞洲最大 IPO。網下認購資金則在今 (20) 日下午 4 點前到帳，網上投資者同日終須確保帳戶足額。
與此同時，海外資金因境內嚴格准入被擋門外，卻在加密衍生市場掀起狂潮。
Trade.xyz 上週二 (14 日) 在 Hyperliquid 推出以 USDC 結算、最高 5 倍槓桿的長鑫科技 Pre-IPO 永續合約「CXMT」，參考價 5 美元一度衝至 8.64 美元，隱含市值約 3.9 兆元人民幣，逼近發行估值的 7 倍，到上週五 (17 日) 回落至 6.94 美元，但溢價仍驚人。
法國頂尖資產管理機構 Financiere de l"Echiquier 經理 Kévin Net 說：「我們肯定想參與，但多數全球投資者進不去。」
估值撕裂背後是預期落差。摩根士丹利團隊認為長鑫市值可達 IPO 數倍，Citrini Research 分析師 Zephyr 甚至預期首日漲 10 倍、衝破 5 兆元，支撐力道在於基本面爆發。長鑫去年營收 617.99 億元，成長 155.6%，首度年度獲利 18.7 億元；2026 年 Q1 營收 508 億元，成長逾 7 倍，淨利 247.62 億元已超過去年全年，今年上半年預估達 1100–1200 億元。全球 DRAM 市占率從去年 Q2 的 3.97% 升至 Q4 的 7.67%，成全球第四大，三星、SK 海力士與美光三強壟斷鬆動。
SemiAnalysis 預測，今年底長鑫科技的晶圓產能約為每月 35 萬片，逼近美光 38.5 萬片，2028 年達 50 萬片，市占率升至 17%，HBM 產能達 10 萬片，佔全球 12%。
但本次發行靜態本益比 308 倍，為行業平均 76 倍的 4 倍。若按 2026 年預期利潤 1000 億元算，遠期 PE 約 5.8 倍，與韓美廠商相當。
Counterpoint 研究總監 MS Hwang 指出，要撐起 3 兆市值需順利完成 2027 年 VCT 轉型及後續技術節點，短期高溢價含槓桿與 FOMO 情緒。
目前，長鑫科技已獲騰訊超 200 億伺服器 DRAM 協議，客戶含阿里雲、字節跳動等，但 HBM3 8-hi 量產良率仍存弱點，一顆 HBM 耗三倍普通 DRAM 產能，資源傾斜兩難。
這場「5792 億 vs 3.9 兆」的定價裂痕，既是華爾街對中國 AI 記憶體晶片自主的提前下注，也是流動性溢出下的投機折射。
