中國記憶體晶片大廠長鑫科技 (CXMT) 周一 (27 日) 於上海證券交易所科創板掛牌上市，首日表現亮眼，收盤股價較發行價暴漲 465.82%，總市值突破 3.28 兆元人民幣 (約 4,800 億美元)，躍居 A 股市值之冠。此次 IPO 募集資金約 579 億元人民幣，創下今年亞洲市場最高募資紀錄。
長鑫科技的火熱掛牌引發全球投資者重新評估 DRAM 產業的競爭格局，導致美股記憶體類股當日集體下挫。
費城半導體指數盤中一度跌約 5%，其中閃迪 (SNDK-US) 跌幅超過 11%，較 6 月 22 日創下的歷史高點累跌 47%，市值在一個月內蒸發約 1,700 億美元；SK 海力士 ADR 曾跌約 10%，並自上市以來首度跌破 IPO 發行價；威騰電子 (WDC-US) 與美光 (MU-US) 分別出現明顯跌勢。
根據 Counterpoint Research 數據，長鑫科技全球 DRAM 收入市占率已從 2025 年第一季的 3% 上升至 2026 年第一季的 8%，位居全球第四。分析指出，長鑫 2026 年底的月產能預計達 35 萬片晶圓，已緊追美光的 37.5 萬片。
儘管產能直逼領先群，但在技術面上仍存在差距。長鑫目前產品主要集中在 DDR4 與 DDR5 等通用型 DRAM 領域，而在 AI 應用核心的高頻寬記憶體 (HBM) 技術上，多數機構評估其仍落後三星、SK 海力士等大廠約三至四年。
針對此波類股修正，市場出現不同解讀：
長期供給疑慮：市場評論指出，投資者擔憂長鑫科技在獲得充足資本後，將加速釋放 DRAM 供給，進而削弱市場對價格持續上漲的預期。
周期性商品屬性：摩根士丹利警告，記憶體晶片本質上仍是「周期性商品」，即便有 AI 成長敘事加持，產能大幅擴張仍可能損及行業利潤率。香櫞資本 (Citron Capital) 亦曾表示，NAND 快閃記憶體本質具備周期性。
估值修正契機：Bernstein 分析師 Mark Li 則持較樂觀態度，認為此次回檔提供了新的佈局機會，並預計 AI 基礎設施建設將持續支撐 2027 至 2028 年的需求成長。
