長鑫科技 (688825-CN) 周一 (27 日) 於上海證交所科創板掛牌上市，開盤市值即突破 3.3 兆元人民幣，刷新 A 股市值紀錄。這家成立僅約十年的半導體企業，成功改寫了全球動態隨機存取記憶體 (DRAM) 的市場格局。
回顧長鑫科技的發展歷程，其技術發展路徑與已破產的德國半導體巨頭奇夢達 (Qimonda) 密不可分。
長鑫科技的技術轉折點出現在 2019 年。當時長鑫透過專利授權，從 Polaris Innovations 手中獲取了奇夢達總計約 2.8TB 的全套 DRAM 技術文檔與逾千萬份檔案。
奇夢達曾是全球第二大 DRAM 供應商，雖然在 2009 年因金融海嘯與技術路線選擇而破產，但其遺留的「埋入式字線」(Buried Wordline, BWL) 架構，在多年後被證明是當前全球 DRAM 的主流技術路線。
長鑫藉由這份技術藍圖並吸納奇夢達昔日的技術人才，於 2019 年推出首顆自主設計的 8Gb DDR4 晶片，實現了中國大陸 DRAM 產業從無到有的突破。
在營運策略方面，長鑫科技於 2023 年全球記憶體產業陷入深度下行週期時，選擇與三星、SK 海力士等大廠減產自保相反的「逆勢擴產」策略。隨著 2024 年 AI 大模型對算力需求的爆發，傳統三大巨頭紛紛將產能轉向生產高頻寬記憶體 (HBM)，導致傳統大宗 DRAM 出現結構性緊缺。來源分析認為，這一市場空窗期為長鑫提供了市佔率擴張的機會。
財務數據顯示，長鑫科技在 2026 年第一季營收達到 508 億元人民幣，歸母淨利潤更成長 1688% 至 248 億元，其全球 DRAM 市佔率已升至 7.67%，成為全球第四大廠商。
儘管在資本市場與市佔率取得顯著成就，市場觀察家提醒長鑫科技仍面臨關鍵制約因素。首先是受限於出口管制，長鑫無法取得最先進的極紫外光 (EUV) 微影設備，被迫採用工序更複雜、成本更高的深紫外光 (DUV) 多重曝光方案。
此外，在 AI 時代的核心技術 HBM 領域，長鑫仍處於起步階段，良率與量產能力與國際巨頭仍有約 2 至 3 代的代差。
長鑫科技董事長朱一明表示，公司將持續進行工藝技術研發迭代，目標是快速追趕世界先進水準。
