傳統 DRAM 與 NAND 快閃記憶體價格 7 月雙雙創下新高。在人工智慧 (AI) 伺服器與高頻寬記憶體 (HBM) 持續吸收 DRAM 產能，以及記憶體業者將 NAND 資源轉向企業級固態硬碟 (SSD)、高層數 3D NAND 與先進製程之下，PC、消費性電子及工業設備使用的傳統記憶體供應日益緊張，漲價週期尚未結束。
根據《韓聯社》引述 TrendForce 旗下 DRAMeXchange 數據，PC 用指標 DDR4 8Gb DRAM 7 月平均固定合約價升至 24 美元，較 6 月上漲 14.3%，創該機構自 2016 年 6 月開始統計以來最高紀錄。
NAND 快閃記憶體價格也持續攀升。其中，128Gb MLC NAND 7 月平均價格升至 30.05 美元，首度突破 30 美元並刷新歷史紀錄。
今年以來，DDR4 價格持續加速上漲。DDR4 8Gb 平均合約價由 1 月的 11.5 美元一路升至 7 月的 24 美元，累計漲幅約 109%，相當於半年多翻漲一倍。價格在 4 月至 5 月間由 16 美元迅速升至 20 美元，進入第三季後進一步刷新高點。
NAND 漲勢更加猛烈，128Gb MLC NAND 平均價格由 1 月的 9.46 美元升至 7 月的 30.05 美元，年初以來累計上漲約 218%，目前價格已升至年初的逾 3 倍。
不同類型 NAND 產品的漲幅也出現明顯分化。
單層式儲存 (SLC) NAND 供應尤其吃緊，部分產品 7 月平均售價較前月大漲 35% 至 51%；多層式儲存 (MLC) NAND 漲幅則約為 4% 至 8%。
SLC NAND 主要應用於汽車電子、網路設備及工業控制等重視穩定性與耐用度的領域。隨著記憶體供應商優先將產能投入高層數 3D NAND 及先進製程，加上市場庫存偏低，SLC NAND 供需情況更加緊張，價格漲幅明顯高於 MLC 產品。
本輪傳統記憶體漲價，主要源自供應端的產能重新配置。
隨著 AI 伺服器需求快速成長，DRAM 供應商持續將資源轉向 HBM 及伺服器 DRAM 等利潤較高的產品，留給 PC 與消費性電子使用的傳統 DRAM 產能隨之減少。
TrendForce 預估，AI 伺服器與 HBM 未來仍將大量吸收 DRAM 產能，PC DRAM 供應可望進一步收緊。儘管筆電價格上漲已開始抑制終端需求，但在供給有限的情況下，記憶體供應商於價格談判中仍掌握較大優勢，DRAM 供應緊張可能延續至 2027 年。
NAND 市場也面臨類似的產能排擠效應。供應商將更多資源投入企業級 SSD、高層數 3D NAND 與先進製程，導致傳統 NAND 產品供應維持緊張。不過，TrendForce 預期，隨著供應商逐步增加產出，NAND 供應可望於 2027 年下半年開始改善。
值得注意的是，記憶體價格持續上漲超過一年後，下游客戶的採購成本已明顯提高，買方態度也開始轉趨謹慎。這意味供應緊張仍可支撐短期價格，但後續漲勢能否延續，也將取決於終端市場承受成本上升的能力。
