隨著記憶體晶片成本飆升，輝達(NVDA-US) 部分大型客戶已獲告知，稱搭載輝達人工智慧（AI）晶片的伺服器價格在許多情況下將上漲超過15%。
根據《彭博》報導，知情人士透露，這波漲價預計適用於明年初出貨的系統，包括搭載輝達最新Vera Rubin，以及Grace Blackwell晶片的伺服器。他們表示，實際漲幅將取決於輝達晶片的世代以及記憶體配置。
專家分析指出，《彭博》之所以點名Vera Rubin以及Grace Blackwell是因為兩者共同反映出AI運算對記憶體與儲存資源的需求持續攀升。
Grace Blackwell平台已展現對HBM與DDR5等高效能記憶體的高度需求。隨著相關元件成本增加，輝達先前已提高H200、B200晶片及模組價格，伺服器製造商也同步調整報價，漲幅約達10%至15%。
至於下一代Vera Rubin平台，其記憶體配置預計將更加積極。三星電子(005930KS) 已宣布，旗下企業級SSD PM1763將針對輝達Vera Rubin平台提供支援，其連續讀寫速度較前一代產品提升一倍。
更值得注意的是，記憶體配置正逐漸成為AI伺服器價格的重要變數。即使採用相同世代的AI晶片，不同記憶體容量與配置方案也可能造成顯著的成本差異。
知情人士表示，近期負責為微軟(MSFT-US) 、Alphabet(GOOGL-US) 旗下Google及甲骨文(ORCL-US) 等大型資料中心營運商代工伺服器的企業，已陸續通知客戶即將調漲價格。輝達代表則未回應評論要求。
在AI基礎建設需求大幅成長之際，連產業中最具主導地位的輝達都無法維持原有價格或自行吸收不斷增加的成本，凸顯記憶體晶片製造商三星電子、SK海力士(000660KS) 及美光科技(MU-US) 的議價能力之強大。
市場數據顯示，2026年第2季DRAM合約價格季增64%，NAND合約價格同期也上漲54%；此外，伺服器DDR5第3季價格仍面臨進一步上漲壓力。
HBM則因為是AI伺服器的重要記憶體配置，價格溢價更為明顯。相關市場資料顯示，HBM產品溢價已超過300%，而單台AI伺服器所使用的DRAM容量約為傳統伺服器的8至10倍。
高盛(GS-US) 更是預估，2026年全年DRAM市場價格可能上漲250%至280%。若這項預測成真，記憶體價格上行將不再只是單一零組件的短期波動，而可能成為AI資料中心建置成本的重要變數。
包括蘋果(AAPL-US) 與高通(QCOM-US) 在內的主要科技企業近期也表示，由於晶片供應短缺，他們被迫提高產品價格。
輝達的AI加速處理器是用於建立及執行AI軟體的電腦核心元件，其效能取決於搭配多少動態隨機存取記憶體（DRAM）。
三星電子、SK海力士及美光這3家公司掌握全球大部分DRAM產能。儘管上述三家公司持續提高產量，但目前仍無法跟上需求快速成長的速度，推動這類標準化元件的價格大幅上漲。
輝達是半導體產業中獲利能力最強的企業之一。由於代工廠台積電(2330-TW) 的晶片供應仍無法滿足失控般的市場需求，輝達得以將單顆晶片售價拉高至數萬美元。
輝達的毛利率，也就是扣除生產成本後的銷售收入占比，目前達到75%。
輝達的AI加速器最初源自售價數百美元的PC遊戲晶片，但隨著需求持續強勁，加上目前市場上仍缺乏足以取代輝達產品的可行方案，其價格也不斷攀升。
根據《Tom"s Hardware》本月稍早報導，輝達也已提高面向遊戲市場的PC顯示卡價格。
至於輝達客戶將如何因應此次最新漲價，以及此舉是否會為競爭對手創造切入機會，很可能取決於這些客戶能否自行取得足夠的記憶體供應。
亞馬遜(AMZN-US) 、微軟、Google及Meta(META-US) 等主要客戶目前都在積極推動自研晶片計畫，但資料中心建置仍依賴向輝達採購產品。
報導指出，這些企業能否進一步降低對輝達的依賴，也將取決於它們能否從三星電子、SK海力士及美光取得足夠的記憶體供應。
伺服器價格上漲也可能進一步增加業界大規模建置AI資料中心的複雜度。目前許多相關計畫已受到專案延誤、勞動力短缺、資本市場緊縮，以及地方社區反對開發等因素影響。
輝達預計下週公布會計年度第二季財報，預計將成為科技產業及投資人的重要觀察指標。
