AI帶動高階記憶體需求持續升溫，SK海力士CEO郭魯正表示，目前全球記憶體晶片供應短缺的局面可能持續到2030年底，短期內看不到明顯的產業下行風險。SK海力士並於美國印第安納州西拉法葉舉行首座美國HBM生產基地動土儀式，宣布投資逾40億美元建設先進封裝與研發設施，預計2028年下半年啟用潔淨室，2029年下半年開始量產下一代HBM4E，進一步擴大美國AI記憶體供應鏈布局。
郭魯正27日在印第安納州普渡大學所在地西拉法葉出席動土典禮後表示，隨著AI資料中心、高效能運算及各類AI服務持續擴張，記憶體需求並未出現見頂跡象。他預期，目前由AI需求推動的全球記憶體供應緊張情況將持續至2030年，而即使未來市場成長放緩，也更可能是需求增速下降，而非需求出現大幅萎縮。
他表示，SK海力士將透過新的美國生產基地，為客戶提供新的本土HBM供應來源，同時協助強化美國半導體供應鏈，並為美國的國家安全與經濟安全作出貢獻。SK海力士指出，該項目將成為美國首個下一代HBM生產基地，目標是在美國建立更完整的AI記憶體生態系統。
SK海力士目前是全球HBM市場的領導者。根據路透報導，公司目前約掌握全球HBM市場58%的營收市占率，AI資料中心對高頻寬、高容量記憶體的需求快速增加，也讓HBM成為全球半導體供應鏈最緊缺的產品之一。
此次印第安納州投資規模超過40億美元，廠址位於普渡大學研究園區。該設施將包括先進HBM封裝產線、潔淨室、AI半導體研發中心及測試設施，並與普渡大學合作開發下一代先進封裝技術。SK海力士預計，該基地未來將與超過100家合作夥伴建立半導體生態系統，並創造約7,000個直接與間接就業機會。
公司規畫，印第安納州新廠將於2028年下半年開始潔淨室運作，2029年下半年啟動下一代HBM產品量產。路透報導指出，SK海力士的目標是在2029年第3季開始量產HBM4E，這將是公司下一代高頻寬記憶體產品在美國的大規模生產計畫。該廠最終目標是達到每年數十萬片晶圓的產能規模，預計到2030年成為美國關鍵的HBM生產基地之一。
不過，印第安納州項目的核心並非前段晶圓製造，而是先進封裝。HBM必須將多個DRAM晶片垂直堆疊，並透過先進互連技術整合為高性能記憶體產品，因此封裝是HBM供應鏈中不可或缺的一環。SK海力士此次在美國建立的設施，將強化HBM後段製造能力與研發，而大部分先進記憶體晶圓製造與擴產仍將集中於韓國。
美國政府近年積極推動半導體製造回流，美國商務部長盧特尼克今年7月也曾要求SK海力士及三星電子等主要記憶體製造商，考慮在美國投資建設先進記憶體晶圓廠。面對是否進一步擴大美國前段製造投資的問題，郭魯正表示，公司正在尋找合適機會，對「任何地點、任何國家」都持開放態度，並將持續擴大在美國的投資與合作。
印第安納州共和黨州長Mike Braun則表示，SK海力士的新項目將成為印第安納州歷史上規模最大的開發計畫之一，也象徵美國正在建立新的AI半導體供應鏈能力。SK海力士表示，該基地未來正式商業營運時，預計將有約1,000名人員在當地工作。
郭魯正進一步指出，到2030年，SK海力士在美國的投資與資產總額預計將超過450億美元。公司近年持續擴張美國布局，包括AI相關投資，以及旗下美國子公司Solidigm的業務。SK海力士今年7月也以SK Hynix(SK Hynix-US)之名登陸那斯達克，透過股份出售籌資265億美元，創下外國企業赴美上市募資的新紀錄，反映資本市場對AI記憶體需求前景的高度期待。
除了美國投資外，SK海力士正同步在韓國進行大規模產能擴張。公司今年6月公布中長期投資策略，規畫在龍仁、清州及西南部半導體聚落合計投入約1,100兆韓元，其中龍仁半導體園區長期投資規模預計達600兆韓元。公司原先規畫至2045年完成龍仁第4座晶圓廠，如今已將時程大幅提前，目標2033年前完成第4座晶圓廠建設，以因應AI記憶體需求快速成長。
SK海力士在龍仁的第1座晶圓廠(Y1)也加速建設，第一間潔淨室啟用時間已從原訂2027年5月提前至2027年2月。公司2月宣布，到2030年底前將在Y1新設施投資21.6兆韓元，使第1座晶圓廠整體建設投資規模提高至約31兆韓元。
公司本月再宣布投資約54兆韓元，建設龍仁Y2及清州M17兩座新晶圓廠，其中龍仁Y2投資35.2兆韓元、清州M17投資19.1兆韓元。Y2預計於2027年7月動工，目標2029年6月啟用第一間潔淨室，將生產HBM及其他下一代DRAM產品；M17則預計2028年12月啟用第一間潔淨室，擴大DRAM與NAND產能。
SK海力士引用市調機構Omdia預測指出，全球DRAM與NAND需求在2025年至2030年間的年複合成長率(CAGR)預計均可達19%。公司認為，AI正在改變記憶體產業的基本結構，記憶體不再只是傳統電子產品的零組件，而逐漸成為決定AI系統效能的核心基礎設施，因此這波需求成長不應單純視為短期的半導體超級循環。
AI模型規模持續擴大，加上資料中心業者大量部署GPU與AI加速器，也同步推升HBM需求。輝達(NVDA-US)日前釋出的強勁長期營收展望，再次提振市場對AI基礎設施投資持續性的信心，並帶動包括SK海力士在內的全球記憶體與半導體股走高。市場目前的關鍵問題，已從AI需求是否持續成長，轉為供應鏈能否在未來數年提供足夠的HBM、DRAM及其他高效能記憶體產品。
郭魯正表示，他目前沒有看到記憶體產業即將出現重大下行循環的明確訊號。即使未來AI投資增速下降，他認為需求仍可能維持成長，只是成長速度放慢，而不是像過去傳統記憶體景氣循環般出現劇烈崩跌。他也表示，對2030年以後的市場前景並不感到擔憂。
整體而言，SK海力士對記憶體市場的長期判斷，凸顯AI已重新塑造產業供需結構。在傳統消費電子需求之外，AI訓練、推論、雲端服務及主權AI資料中心正在創造新的龐大記憶體需求，而HBM更成為AI運算系統中最難快速擴充的關鍵環節之一。隨著SK海力士同步加碼韓國晶圓廠與美國先進封裝基地，全球記憶體產業的新一輪產能競賽也正加速展開。
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