儲存晶片供給滿足率不足5成 美銀：9月現貨價料再漲10%至20% DRAM產值成長可逾80%

美國銀行全球研究最新報告指出，全球儲存晶片現貨市場的供需失衡持續惡化，在AI基礎設施需求強勁、主要晶片廠優先供應大型客戶，以及傳統消費電子旺季到來等多重因素推動下，預計9月DRAM與NAND現貨價格仍有10%至20%的上漲空間。

美銀全球研究8月27日發布的報告顯示，根據通路調查，9月現貨市場的供給滿足率 (sufficiency ratio) 已降至不足50%。模組廠商及白牌OEM普遍反映，難以從主要儲存晶片供應商取得足量的通用型DRAM與NAND產品，主要原因是大型電子產品製造商取得優先供貨，三星電子與SK海力士等主要供應商將更多資源配置給大型客戶。

美銀指出，儘管現貨價格目前已高到使多數IT產品進入負毛利區間，但供給短缺與旺季需求的雙重效應，仍將持續推動價格走高。根據DRAMeXchange數據，截至報告發布時，16Gb DDR5現貨價格已升至54美元，年初至今上漲85%，創下歷史新高；16Gb DDR4現貨價格報91美元，較去年同期大漲879%；8Gb DDR4現貨價格則報44美元，年增803%。

NAND市場漲勢同樣強勁。1Tb晶圓現貨價格升至31.9美元，較去年同期大漲526%；256Gb晶圓現貨價格報16.8美元，單週上漲6%，較去年同期更飆升979%。

美銀認為，9月現貨供給滿足率低於50%的調查結果，也與三星電子的最新說法相互印證。三星電子表示，即使進入明年，高階GPU與CPU所需DRAM的供給滿足率可能仍只有約50%至60%。美銀強調，儘管當前價格已使不少IT產品面臨毛利率壓力，但短缺結構加上傳統旺季效應，足以支撐9月現貨價格進一步上漲10%至20%。

報告也將輝達 (NVDA-US) 最新釋出的2027財年約70%營收成長展望，視為全球儲存產業的重要催化劑。美銀指出，這項遠優於市場預期的成長預測，有助於扭轉先前轉趨保守的儲存晶片投資情緒。更重要的是，輝達的成長指引本身已將儲存供應短缺納入假設，如果實際AI需求進一步超出預期，儲存產業的營收與價格彈性可能更大。

美銀進一步上調全球DRAM產業的成長預期。報告估算，若2027年全球DRAM平均售價僅成長10%，再加上約19%的出貨量成長，全球DRAM銷售額年增幅可能超過80%，明顯高於先前預估的48%，先前預測的基礎為平均售價上漲24%、出貨量增加19%。

美銀認為，第一個主要推動力來自輝達本身。輝達約70%的成長展望已建立在儲存供應受限的前提下，如果AI晶片訂單需求進一步走強，或下一代Rubin與Vera平台獲得更廣泛採用，相關儲存需求仍可能帶來額外上行空間。

第二個動能則來自客製化AI晶片市場。美銀指出，ASIC與TPU陣營正更積極爭奪HBM、DRAM與NAND資源，且部分業者願意支付高於輝達的價格，以確保供應。這使全球儲存晶片廠商在新增產能有限的情況下，擁有更強的議價能力。

第三項因素是新增產能可能迅速被大型客戶吸收。美銀認為，如果輝達及超大規模雲端服務供應商持續消化三星電子、SK海力士與美光 (MU-US) 等三大儲存晶片廠的新增產能，蘋果 (AAPL-US)、中國OEM以及中國台灣模組廠商可能在長期供應協議架構下提出更高的2027年儲存晶片報價。在這種情境下，DRAM與NAND平均售價甚至可能出現單季環比上漲10%以上的情況。

美銀本週舉辦涵蓋10多家儲存晶片及南韓科技企業的虛擬路演，整體產業看法偏向樂觀。三星電子表示，即使在長期協議 (LTA) 架構下，DRAM平均售價仍可以按季度協商，目前約60%至70%的晶圓產能已納入LTA管理。三星新建P4晶圓廠的產能主要將配置給HBM產品，高階GPU與CPU相關DRAM並未出現降規格 (de-spec) 的情況，因此預估明年的供給滿足率仍只有約50%至60%。

SK海力士則表示，雖然龍仁新廠區持續推進，但HBM持續占用大量產能，使整體晶圓產能擴張受到限制，公司目前對大幅擴增傳統DRAM及NAND產能興趣不高。該公司認為，即使LTA供應比例持續提高，近期儲存晶片平均售價仍存在相當大的上漲空間。

南亞科技 (2408-TW) 則指出，傳統DDR4需求依然非常強勁，新建晶圓廠預計將在2027年第一季開始安裝設備，初期目標產能為每月3萬片晶圓，並計畫於2028年達到完整產能。

儲存控制器業者慧榮科技 (SIMO-US) 表示，其企業級解決方案年化營收已由1年前約10億美元翻倍至接近20億美元。FADU則預期，2026年下半年至2027年間，企業級SSD (eSSD) 控制器銷售額可望成長100%以上。

南韓產業通商資源部數據也反映AI帶動的半導體需求持續升溫。南韓8月前20天半導體出口金額達260億美元，較去年同期成長199%，並已連續7個月維持正成長，出口規模創下歷史新高。

輝達最新公布的業績同樣成為美銀看好儲存晶片產業的重要依據。輝達7月季度營收達960億美元，年增106%、季增18%；其中資料中心營收達890億美元，年增117%，占總營收比例高達93%。美銀美國分析師預期，隨著儲存成本上升，輝達整體毛利率可能出現溫和壓縮，但資料中心業務毛利率可望維持在70%以上。

從資本市場表現來看，儘管DRAM與NAND相關類股在7月至8月出現回檔，但今年以來漲幅依然相當可觀。美銀數據顯示，三星電子、SK海力士、美光及南亞科技的股價相較2026年初均上漲約2至3倍；SanDisk (SNDK-US) 與Kioxia的今年以來報酬率更超過400%。

不過，美銀認為，儘管儲存晶片類股大幅上漲，多數DRAM業者目前本益比仍只有約4至8倍，整體估值並不昂貴。報告指出，在輝達公布最新財報後，SK海力士與三星電子股價於8月27日已明顯反彈，反映市場重新評估AI需求持續擴張下的儲存晶片供應風險。

合約市場的價格漲勢則暫時較現貨市場溫和。16Gb DDR5與DDR4合約價格目前均處於35至40美元區間，8月環比漲幅已收窄至低個位數，低於7月的10%至15%。另一方面，NAND 512Gb晶圓合約價格目前約26美元，較2025年2月低點已上漲約10倍。

美銀認為，短期內現貨市場與合約市場的價格走勢可能仍有差異，但核心問題仍是新增供給速度遠不及AI與高效能運算需求成長。隨著HBM持續吸收晶圓產能、輝達及雲端巨頭加大AI基礎設施投資，以及消費電子傳統旺季到來，全球儲存晶片市場的供給緊張情況短期內仍難明顯緩解，9月現貨價格持續上漲的可能性仍然偏高。