中國版「曼哈頓計畫」遇瓶頸 瑞銀：十年內難追上ASML頂尖EUV

多家外媒報導，瑞銀最新研究指出，中國微影製程技術仍明顯落後艾司摩爾 (ASML)，未來10年內不太可能推出足以取代極紫外光 (EUV) 微影設備的產品。不過，中國在浸潤式深紫外光 (DUV) 微影設備上的進展較快，最快2至5年便可能具備大規模生產能力。

為突破西方半導體設備出口管制，中國由國家主導，在深圳秘密推動國產EUV微影設備研發，並打造出原型機。這項國家級秘密工程因動員規模龐大、戰略重要性高，被外界稱為中國版「曼哈頓計畫」。

瑞銀的評估意味，中國短期內仍難以突破最先進晶片的生產瓶頸，但在成熟及部分先進製程設備上，對進口產品的依賴可望逐步下降。

ASML ADR (ASML-US) 週二隨大盤收跌 1.82%，報每股 1,665.14 美元，盤中最低下探 1,651.21 美元，最高觸及 1,683.74 美元，成交量約 90.57 萬股，低於平均成交量約 185.27 萬股。

中國EUV進度約相當於ASML 2004年

以Francois-Xavier Bouvignies為首的瑞銀分析師團隊，檢視中國在光源及雷射子系統等領域的專利活動後認為，中國目前的EUV技術成熟度，大致相當於ASML在2004年的發展階段。

ASML直到約15年後才開始大規模生產EUV設備。瑞銀據此推估，中國未來10年內仍難以開發出具商業可行性、足以取代ASML的EUV設備。

瑞銀也指出，即使中國成功推出自製EUV設備，其良率與產能效率仍可能落後ASML，加上監管限制，相關設備不太可能在中國以外市場廣泛部署。

浸潤式DUV最快2至5年量產

相較於EUV設備，中國在浸潤式DUV領域的追趕速度更快。瑞銀預估，中國可望在2至5年內建立大規模製造能力，但由於外界難以掌握設備實際效能，以及中國半導體供應鏈的完整程度，這項預測仍存在不確定性。

浸潤式DUV雖然不及EUV先進，仍是晶片製造的重要設備，利用光線將精細電路圖案轉印至矽晶圓。ASML每台浸潤式DUV設備售價接近9,000萬美元，EUV設備單價則超過2億美元。

荷蘭出口管制面臨時間壓力

ASML是全球唯一能夠生產先進EUV微影設備的公司。受到美國主導的出口限制影響，該公司不得向中國出售EUV系統。

荷蘭政府也自2024年9月7日起，將NXT:1970i與NXT:1980i等浸潤式DUV設備納入出口許可管理；更先進的NXT:2000i及後續機型，原本就受到荷蘭政府管制。

然而，若中國在2至5年內實現浸潤式DUV設備量產，荷蘭目前最具實際影響力的出口管制工具，可能在中國縮小EUV技術差距前便逐漸失效。

ASML執行長Christophe Fouquet曾於2024年表示，以國家安全為由限制設備出口的說法越來越難成立，相關措施背後帶有經濟考量。

中國市場仍牽動ASML營運

中國積極投入國家資金扶植本土半導體產業，希望降低對外國技術的依賴，但先進設備出口限制仍持續拖慢其發展。

另一方面，中國也是ASML的重要市場，2025年第三季占公司淨銷售額42%。ASML先前已警告，中國業務今年可能大幅下滑。

不過，ASML第一季仍繳出88億歐元淨銷售額及28億歐元淨利，全年營收財測維持在360億至400億歐元。該公司股價週二在阿姆斯特丹下跌1.6%。

瑞銀的分析顯示，中國要追上全球最尖端的EUV技術仍有一段距離，但在浸潤式DUV設備方面，進口替代的時間可能比外界預期更近。對歐洲而言，真正需要關注的不只是中國何時追上EUV技術，還包括現有出口管制的影響力能維持多久。

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