三星電子在 SEMICON Taiwan 2026 期間公布新一代高頻寬記憶體（HBM）與下一世代儲存架構布局，從 HBM5、zHBM 到 zNAND-O，涵蓋高頻寬、高容量、低功耗與散熱等方向，顯示三星正加速布局AI基礎設施所需的下一代記憶體技術。
三星儲存產品規劃企業副總裁 Jangseok Choi 週二（1日）表示，公司規劃中的 HBM5，效能目標為 HBM4E 的2倍，單位功耗效能提升20%，熱阻則降低20%。三星此前已在8月舉行的 Hot Chips 2026 透露部分相關進展。
除了延續HBM架構升級，三星也正在開發全新架構的 zHBM，目標效能進一步拉高至 HBM4E 的8倍，單位功耗效能提升3倍，熱阻降幅則達75%至90%。
HBM5採2奈米製程 最快2028年量產
據悉，三星將HBM5的基礎晶片（base die）製程由HBM4、HBM4E採用的4奈米，進一步推進至自研2奈米製程，並規劃12層、16層及20層DRAM堆疊方案，以因應不同應用對容量與效能的需求。
在性能規劃上，HBM5鎖定較HBM4E提升一倍，同時兼顧功耗與熱管理。三星預計在HBM4E之後推出HBM5，量產時間約落在2028年前後。
其中，熱阻降低20%被視為重要升級方向。隨著AI加速器功耗不斷提高，記憶體散熱能力的重要性同步上升，三星希望藉此改善高效能運算環境下的熱管理表現。
zHBM改變傳統架構 記憶體直接堆疊在處理器上
相較於現行HBM通常配置於AI加速器（xPU）旁側，三星正在開發的zHBM則採取不同架構，將記憶體直接堆疊至處理器上方，藉由縮短資料傳輸路徑，進一步提升頻寬並降低功耗。
三星設定的zHBM目標相當積極，效能希望達到HBM4E的8倍，單位功耗效能提高3倍，同時將熱阻降低75%至90%。
三星預計 zHBM在2029年之後推出，因此目前仍屬於較長期的技術布局。
zNAND-O瞄準「DRAM速度、NAND容量」
除了HBM，三星也把下一代NAND技術納入AI儲存布局。其中，zNAND-O預計於2028年開始送樣。
三星設定的目標包括儲存密度達到DRAM的10倍，同時讀取頻寬與功耗效率達到NAND的7倍。這項技術主要鎖定生成式AI及大型語言模型（LLM）對高速度與大容量儲存的需求。
隨著AI模型規模持續擴大，儲存系統需要在容量、速度與功耗之間取得平衡。
三星提出CUBE策略 從容量到能效全面升級
三星在 SEMICON Taiwan 2026 同期舉行的 Memory Executive Summit 上，也進一步說明其「CUBE」儲存策略，分別代表 容量（Capacity）、利用率（Utilization）、頻寬（Bandwidth）與效率（Efficiency）。
根據Choi，在容量方面，三星計畫透過垂直方向擴展記憶體，在不增加PCB占用面積的情況下提高儲存密度；利用率方面，則不只著眼於3D記憶體堆疊層數，而是進一步調整邏輯與記憶體的架構配置，以降低延遲。
至於頻寬，三星規劃透過垂直高速通道取代水平資料傳輸路徑，縮短晶片間距離；效率方面則聚焦於降低資料傳輸的每位元功耗，以及改善整體功耗與熱管理。
整體而言，三星此次公布的技術路線並非單純追求HBM單一規格提升，而是從 HBM5的製程與堆疊升級、zHBM的處理器上方堆疊，到zNAND-O的大容量高速儲存，再以CUBE策略串聯容量、利用率、頻寬與效率，勾勒出面向AI基礎設施的下一代記憶體發展方向。
