川普政府醞釀新一輪半導體關稅三星、SK海力士美國產能成防火牆

SK海力士SK Hynix(000660-KR)展示新一代HBM4E高頻寬記憶體晶片。Reuters/TPG

2026年09月04日(優分析/產業數據中心報導)⸺ 川普政府正醞釀新一輪半導體關稅,政策方向逐漸從年初針對特定先進晶片的定向措施,擴大至更多半導體及搭載晶片的終端產品。對三星電子Samsung Electronics(005930-KR)與SK海力士SK Hynix(000660-KR)而言,值得注意的是,美國正考慮將關稅優惠與當地製造投資掛鉤,而兩家公司已提前布局美國產能,可望成為南韓政府與美方談判時,爭取關稅優惠、降低衝擊的重要籌碼。

美國商務部長Howard Lutnick日前表示,川普政府正在制定更具針對性且經過審慎考量的半導體關稅政策。政策核心逐漸浮現,在美國投資製造的企業有機會取得關稅優惠,沒有美國產能的業者則可能面臨較高進口成本。

相較2026年1月美國對特定先進運算晶片及部分衍生產品課徵25%關稅,新一階段討論範圍可能更廣,包括筆記型電腦、遊戲主機及資料中心伺服器等搭載半導體的終端產品,都可能納入課稅範圍。

美方同時考慮依企業在美國規劃的半導體產能,給予一定比例的免稅進口額度。台灣與美國先前達成的協議即提供一項參考,在美國建廠期間,企業可依規劃產能取得最高2.5倍的免稅進口額度,完工後則為1.5倍。如果類似架構擴大至其他國家,海外業者在美國投入多少產能,將直接影響未來進口晶片的關稅成本。

這也是三星電子與SK海力士近期美國投資更值得關注的原因。

SK海力士8月底已在印第安納州動工興建AI記憶體先進封裝基地,投資超過40億美元,預計2028年10月完成無塵室,並於2029年第3季量產下一代HBM4E。公司預期該基地未來產能可達每年數十萬片晶圓規模,並成為首個供應美國製HBM的重要據點。

三星電子也正在加快德州Taylor布局。第1座晶圓廠已於7月完成設備搬入,準備在2026年底前投入運轉;第2座工廠則規劃於年底啟動建設,目標2030年量產。換句話說,當美國開始討論以當地產能作為關稅減免依據時,南韓兩大記憶體廠已經先建立美國製造基礎。

南韓政府也希望進一步把這項優勢制度化。產業通商資源部長金正官表示,美韓仍在協商半導體關稅,雙方先前已有共識,南韓取得的待遇不應劣於主要競爭對手。2025年11月公布的美韓聯合事實清單也納入相關保障。

除了美國投資,三星與SK海力士本身的市場地位也提供另一層緩衝。兩家公司2026年第2季合計占全球DRAM市場約65%,在AI基礎設施投資持續推升記憶體需求之際,供應商仍握有較強議價能力。因此,即使關稅最終落地,部分成本也可能向美國大型科技客戶轉嫁,而非完全由晶片製造商自行吸收。

這使美國半導體關稅出現一個微妙的政策平衡。華府希望透過關稅迫使更多晶片產能移往美國,但短期內AI資料中心仍需要大量亞洲供應的HBM、DRAM及先進晶片。如果關稅過高,不僅可能增加美國AI基礎設施成本,也可能讓本土大型科技公司的晶片採購承受更大壓力。

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