台積電宣布2030年起導入ASML High NA EUV、微影光罩尺寸擴大一倍

艾司摩爾(ASML-US)台積電(2330-TW)(TSM-US)今(8)日共同宣布，台積電將自2030年起在先進製程量產中導入艾司摩爾的High NA EUV技術，並進一步擴大微影光罩尺寸，從現有的6吋光罩擴大至12吋光罩，尺寸放大一倍，進一步提升設備生產力。

台積電表示，High NA EUV將自現行的6吋光罩，轉移至更大的12吋光罩，預期將進一步提升晶圓廠的生產力、降低晶片製造成本，並消除需要兩張6吋光罩在High NA EUV曝光時進行拼接的限制，使整個半導體產業受惠。此轉移能讓先進晶片製造服務提供者充分利用High NA EUV的優勢，更提升未來世代先進晶片的成本效益。

艾司摩爾總裁暨執行長Christophe Fouquet表示，預期隨著元件微縮藍圖的推進，High NA EUV的採用將逐步提升。初期透過沿用現行的6吋光罩，而後導入12吋光罩以進一步提升設備生產力，讓產業能夠滿足市場對更小、更快、更節能晶片的需求。很高興這項合作在初期便獲得半導體製造廠商、光罩廠商、以及合作夥伴的大力支持。

台積電董事長暨總裁魏哲家表示，公司深信，唯有產業攜手解決複雜問題，才能開創單一企業無法獨力實現的無限可能。藉由匯聚產業價值鏈的專業能力，期許透過持續創新來降低門檻，讓先進解決方案得以大規模普及，進而持續傳遞尖端技術的價值。

台積電有意自2030年起，在先進製程量產中導入艾司摩爾的High NA技術。隨著製程技術持續推進，特別是在AI應用帶動電晶體架構日益複雜的趨勢下，預期需要使用High NA EUV 曝光的光罩層數將隨之增加。

艾司摩爾與台積電7日於加州蒙特雷舉辦的BACUS國際光學工程學會(SPIE)先進微影技術研討會前宣布發起產業合作，以共同推動轉移升級至12吋光罩，並計劃於2031年之前建立12吋光罩試產線，為2033年12吋High NA微影系統導入先進製程量產奠定基礎眾多關鍵生態系統夥伴與供應商均出席此活動，並表達對該轉移的參與意願，突顯出產業對此的廣泛支持。