荷蘭半導體設備龍頭艾司摩爾 (ASML-US) 在人工智慧 (AI) 晶片需求推動下，既有極紫外光 (EUV) 微影設備產能已接近售罄至2027年，台積電、三星及SK海力士也陸續確定採用新一代High NA EUV設備，進一步鞏固ASML延續至2030年代的市場主導地位。
《路透》報導，ASML上週在荷蘭恩荷芬為新廠動土，擴充辦公室、物流中心及製造設施，未來最多可容納2萬名員工。
ASML財務長Roger Dassen表示，AI熱潮已明顯改變客戶態度，近期甚至有大型客戶直接詢問：「還能再給我更多嗎？能不能更快交貨？」
ASML目前每台售價約2億美元的EUV設備，是製造先進AI晶片不可或缺的工具，相關產能已幾乎售罄至2027年。與此同時，客戶也加速承諾導入每台約4億美元的High NA EUV設備。
執行長Christophe Fouquet表示，他不認為AI熱潮已接近尾聲。隨著主要晶片製造商陸續提出High NA量產時程，加上ASML擴充產能，公司在先進微影設備領域的優勢可望延續至2030年代。
台積電2030年導入High NA
台積電先前曾質疑High NA設備能否證明4億美元售價合理，但目前已承諾自2030年起採用這項技術。
過去數年，晶片製造商持續評估，先進封裝、3D堆疊及其他製造技術，是否能夠降低對High NA的依賴。然而，台積電、三星及SK海力士相繼確認導入時程，反映主要晶片業者仍認為，持續縮小電路特徵尺寸是提升晶片效能的必要途徑。
相較現有EUV設備，High NA可印製小約40%的電路特徵，有機會減少製造步驟並提高生產效率，但價格約為標準EUV設備的兩倍。
High NA自2023年開始出貨，目前仍由ASML獨家供應。摩根大通估計，ASML在2025年占全球微影設備市場約94%；若聚焦先進EUV設備，ASML更沒有商業競爭對手。
日本Nikon與Canon以及正在崛起的中國業者，目前主要生產較舊的深紫外光 (DUV) 設備。晨星分析師Javier Correonero表示，外界認為這些業者即將在微影技術上追上ASML的說法，是「錯誤資訊」。
記憶體廠加快腳步 三星、SK海力士2028年採用
High NA不僅獲得先進邏輯晶片業者採用，記憶體製造商也加速導入。
三星宣布，將於2028年利用High NA設備生產記憶體晶片，時程早於市場預期；SK海力士同樣計劃自2028年開始採用。美光已訂購相關設備，但尚未公布量產導入日期。
Fouquet表示，由於記憶體晶片成品面積較小，記憶體廠採用High NA的門檻相對較低，相關業者在High NA及其他先進技術上的布局也更積極，目前都在推動將High NA導入大規模量產。
英特爾則是High NA的早期採用者。公司表示，相關設備已達到產能與可靠度標準，累計處理晶圓數量已超過100萬片。
InsingerGilissen分析師Jos Versteeg表示，他從未懷疑High NA最終會被業界採用，因為晶片製造商並沒有其他替代方案。隨著邏輯晶片及記憶體大廠陸續導入，市場先前對High NA能否獲得廣泛採用、進而回收龐大研發成本的疑慮正逐步消退。
