中國記憶體業者長鑫科技(688825-CN) 宣布，第五代DRAM技術平台G5及24Gb LPDDR5X正式量產，產品已進入中國主流旗艦手機。G5不僅將長鑫DRAM製程推進至16奈米級，也讓其正式躋身高階記憶體市場，全球競爭格局正從三星、SK海力士與美光主導的「三國演義」，走向「四國殺」。
G5平台的有源區半間距縮小至11.95奈米。長鑫透過ArF浸潤式深紫外光（DUV）四重曝光技術完成，全程未使用極紫外光（EUV）。
第三方拆解機構TechInsights實測，其G5世代DDR5的特徵尺寸F為16奈米，確認未採用EUV，顯示DUV在15至16奈米區間仍具可行性，也突破中國DRAM過去被認為約20奈米級的製程上限。
另一項突破是電容深寬比達45比1。DRAM單元縮小後，電容製作難度隨之提高，長鑫透過介面工程、鞍形鰭式結構及低介電常數間隔層位線提高電容高度。
此外，G5將核心功能區高度降至6762奈米，並導入高介電常數金屬閘極（HKMG），把原用於先進邏輯晶片的技術移植至DRAM，壓縮周邊電路高度。
設計與製程雙線追趕
長鑫先前量產的LPDDR6採用G4平台，主要透過超過100項CMOS關鍵電路及設計規則優化，把新架構導入既有製程；此次G5平台的LPDDR5X，則靠四重曝光與新材料提高密度。前者代表設計先行，後者補上製程能力，形成「設計加製程」雙線追趕。
相較前一代平台，G5晶圓產出增加50%，同一片晶圓可切割出更多裸晶，降低單位位元成本，並提高長鑫在記憶體漲價周期中的毛利率彈性。
長鑫2025年10月便量產LPDDR5X，涵蓋12GB、16GB及24GB方案，但當時僅有12Gb與16Gb顆粒，24GB方案需用12顆低密度顆粒組成。
此次G5將單顆容量由16Gb提高至24Gb，增幅50%，只需8顆即可組成24GB方案，顆粒數量減少三分之一，並降低占板面積、功耗及封裝測試成本。
高階記憶體競爭添變數
隨著24Gb LPDDR5X量產，長鑫可望加劇高階記憶體價格競爭。三星電子(KR005930) 、SK海力士(000660KS) 與美光科技(MU-US) 掌握逾九成市場，在供給收縮下享受漲價紅利；長鑫擴大量產並降低成本，中期可能稀釋部分漲價空間，對手機與伺服器業者有利，卻將對三大記憶體廠形成壓力。
對中國旗艦手機業者而言，長鑫成為高階記憶體的第二供應商，也增加面對三大國際供應商時的議價能力。G5因此不只是製程升級，也可能成為改變全球DRAM競爭格局的關鍵節點。
