據美國投資銀行高盛發布的研究報告指出，截至2026年6月，中國半導體積體電路產量自給率已由2010年1月的38%大幅提升至70%。然而，受限於先進微影設備(光刻機)的出口管制，中國在短時間內仍難以實現半導體的完全自主供應。
報導指出，中國半導體產能的顯著增長，主要來自於成熟製程(22/28奈米及以上)的擴產，由中芯國際、華虹集團及晶合集成等晶圓代工廠提供汽車、工業及消費性電子所需晶片。截至2025年，中國大陸共擁有29座8吋晶圓廠與50座12吋晶圓廠，整體晶圓產能約占全球20%。
但在產能結構中，90至28奈米成熟製程占比達68.3%，110奈米及以上占30%，而14奈米及以下先進製程僅占1.7%。高單價與高毛利的先進SoC、CPU、GPU及高頻寬記憶體(HBM)，仍由台積電、三星、SK海力士等國際大廠主導。
在先進邏輯製程領域，據《南華早報》作者 Howard Liu 報導引述高盛預測，在人工智慧(AI)伺服器需求帶動下，2025至2035年間中國7奈米及以下晶圓需求複合年成長率(CAGR)為17%，而供給CAGR將達46%，預計可將供需缺口由2025年的92%縮小至2035年的34%。
不過，高盛模型預估，中芯國際先進製程製造良率在2026年僅約23%，至2035年提升至75%，相較台積電7奈米逾90%的良率水平仍有差距，將直接影響單位成本與有效產出。
高盛分析強調，先進微影設備(尤其是極紫外光微影 EUV)的短缺是限制中國晶片完全自主的核心瓶頸。在無法取得 EUV 的情況下，晶圓廠需依賴深紫外光微影(DUV)進行多重圖案化(多重曝光)技術，但這意味著製造步驟增加、生產成本上升及良率降低。
市場觀察人士指出，業界正嘗試透過先進封裝、混合鍵合與晶片堆疊等技術來補強效能差距，中國半導體產業因此正同步推進成熟製程自主化、DUV技術創新及EUV突破等多軌並進策略。
