美光512GB DDR5亮相!9200MT/s、功耗降逾60% 直攻AI伺服器記憶體需求

(圖:REUTERS/TPG)
(圖:REUTERS/TPG)

美光科技(MU-US)宣布成功展示512GB DDR5 RDIMM伺服器記憶體模組, 傳輸速率最高達9200 MT/s, 並透過先進DRAM封裝技術大幅提高單條記憶體容量與能源效率。美光表示, 這款模組可協助資料中心因應人工智慧(AI)、資料分析、記憶體資料庫及高效能運算等工作負載快速增加的需求。

美光指出, 512GB DDR5 RDIMM已在多個伺服器平台完成展示, AMD(AMD-US)與英特爾(INTC-US)目前均積極進行平台驗證。以24個記憶體插槽的雙路伺服器計算, 單一系統最多可配置12TB DDR5記憶體, 讓大型資料集能夠更多留存在主記憶體中, 減少資料在記憶體與較慢儲存層之間搬移所產生的延遲與成本。

在效能方面, 這款512GB RDIMM最高可達9200 MT/s。美光表示, 相較於由4條128GB RDIMM組成的配置, 單條512GB模組的運作功耗降低逾60%。其中, 512GB模組功耗約16W, 4條128GB模組合計則約44.2W。

美光表示, 512GB RDIMM採用先進垂直互連封裝技術, 將DRAM晶粒透過矽穿孔(TSV)進行垂直堆疊, 在單一DRAM封裝中提高記憶體密度, 同時維持現代資料中心所需的效能與穩定性。

對於受記憶體容量與頻寬限制的工作負載, 美光稱512GB RDIMM相較於256GB DDR5配置, 在以Spark支援向量機(SVM)為基礎的資料分析工作中, 效能最高可提升至1.4倍。此外, 512GB模組也能應用於RocksDB及Redis等記憶體密集型資料庫與快取平台, 提升吞吐量、並行處理能力及資料集擴充效率。

美光認為, 大型語言模型(LLM)、代理型AI、即時推理及高核心數CPU工作負載快速成長, 正推升資料中心對更高記憶體容量、更大頻寬及更低功耗的需求。高容量記憶體可讓更多資料直接保留在主記憶體, 降低資料移動需求, 對AI與大型資料分析工作尤其重要。

美光預計512GB DDR5 RDIMM將於2027年下半年依客戶需求進入量產。這意味著目前產品仍處於展示、驗證及導入階段, 實際大規模部署時間仍取決於伺服器平台驗證與客戶需求。

這項產品推出之際, 全球記憶體市場正面臨供應緊張。SK海力士(SK-HY-US)執行長郭魯正7月曾表示, 2027年可能成為記憶體產業供應情況最糟糕的一年, 客戶需求將持續高於公司供應能力, 而供需缺口甚至可能延續至2030年以後。

美光近期也表示, AI資料中心需求持續推升記憶體需求, 公司預期2027年及2028年的記憶體供需狀況將比2026年更加緊張。報導指出, 美光已看到大量客戶承諾, 長期供應合約金額持續增加, 反映AI基礎設施建設仍是記憶體需求的重要驅動力。

供應緊張也已反映在消費級DDR5價格。德國3DCenter發布的9月記憶體價格指數顯示, DDR5平均價格較2025年7月基準已升至544%, 9月單月再上漲11.9%。其中, 2x16GB DDR5-6400 CL30套裝單月價格暴漲103%, 2x32GB DDR5-6000 CL28套裝上漲33%, 2x24GB DDR5-6400套裝上漲12%。

3DCenter數據同時顯示, 不同DDR5產品的漲幅差異明顯。8GB DDR5/5600+相較2025年7月上漲400%, 16GB DDR5/5600+上漲462%, 32GB DDR5/5600+上漲488%, 32GB DDR5/6400+上漲401%, 顯示記憶體價格上行已從高階產品逐步擴散至主流容量。

相較之下, DDR4價格在9月反而下跌。3DCenter的DDR3/4整體價格指數較2025年7月基準為292%, 9月單月下降3.1%, 與DDR5持續上漲形成明顯對比。

記憶體價格與供應壓力也開始影響終端電子產品。Reuters此前報導, Fairphone、Jolla及Framework等規模較小的手機與筆電業者, 已開始透過重新設計主機板、提前採購、增加零組件測試及準備不同硬體方案等方式應對記憶體短缺。對部分約400美元的手機而言, 記憶體成本占物料清單(BOM)比例已升至約60%。

Counterpoint則預期, 記憶體供應危機將成為2026年全球智慧手機市場下滑的重要因素。該機構最新預測顯示, 全球手機出貨量今年可能年減約12%, 降至略低於11億支, 創2013年以來最低水準, 而供應緊張預計延續至2027年。

對記憶體產業而言, AI伺服器與資料中心需求正在改變傳統DRAM市場結構。三星電子(005930-KR)近期表示, HBM明年可能占全球DRAM晶圓產能近30%, 高於目前約20%, 由於HBM與一般DRAM共享部分晶圓產能, HBM擴產可能進一步限制標準DRAM供應。

在此背景下, 美光512GB DDR5 RDIMM的價值不只是單純增加單條記憶體容量, 更在於以更高密度及更低單位功耗支撐AI與資料密集型伺服器。隨著2027年量產時間接近, 這類超高容量伺服器記憶體能否大規模導入, 將成為資料中心降低記憶體瓶頸與能源成本的重要觀察指標。


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