艾司摩爾(ASML-US)與光學合作夥伴蔡司(Carl Zeiss)的工程師，在一篇同儕審查論文中指出，接替目前最先進曝光機的「Hyper NA」技術，可能約十年後準備就緒，可印製更微小的晶片電路，並沿用大量既有技術，但仍有挑戰待克服。
據《路透》周四(8日)報導，艾司摩爾已開始研發Hyper NA，但尚未承諾投入生產，也未立即回應置評要求。該公司憑藉極紫外光(EUV)曝光設備的獨占地位，成為歐洲市值最高企業，下一代技術進展也牽動合作夥伴與競爭對手布局。
刊登於10月《微奈米圖案化、材料與計量期刊》的論文指出，Hyper NA可望印製小至5奈米的電路特徵，比現有High NA EUV設備縮小逾三分之一。此處指曝光可形成的特徵尺寸，並非晶片廠標示的製程節點名稱。
儘管晶片業者持續透過3D設計提升效能，縮小電路仍是改善速度與耗電的重要途徑，曝光技術則是限制因素之一。目前英特爾(INTC-US)已開始將High NA用於生產；三星電子與SK海力士(SKHY-US)上月表示，將於2028年跟進，台積電(2330-TW)(TSM-US)則規劃2030年採用。
論文表示，蔡司已能製造精度足以支援Hyper NA的反射鏡，新設備尺寸也僅略大於目前已有雙層巴士大小的High NA機台。現有光源可直接沿用，即使改採自由電子雷射，也不會改變照明系統設計。
這對研發自由電子雷射光源的美國新創xLight，以及投入X光曝光技術的Substrate，均具參考意義。馬斯克曾暗示，可能在德州Terafab晶片廠採用xLight技術。至於Hyper NA之後的世代，作者認為可能須使用更短波長的光，目前仍處於學術研究階段。
