ASML、蔡司：下一代晶片製造技術約10年內問世

艾司摩爾(ASML)(ASML-US)與其光學合作夥伴蔡司(Carl Zeiss)的工程師在一篇經過同行評審的論文中表示，ASML現有最先進晶片製造設備的後繼技術，可能在約10年內準備就緒。

論文指出，這項名為「Hyper NA」的設備將能製作更微小的電路，同時重複利用兩家公司現有的大部分技術，但仍有一些挑戰需要克服。

ASML是歐洲市值最高的公司，這要歸功於其在微影設備市場的獨占地位。這類設備利用極紫外光(EUV)在晶片上製作微小電路，供人工智慧晶片使用。

刊登於10月號《Journal of Micro/Nanopatterning, Materials and Metrology》期刊的論文指出，Hyper NA能製作尺寸小至5奈米的特徵，比ASML目前的「High NA」EUV設備所能製作的特徵尺寸縮小超過三分之一。

儘管晶片製造商正透過3D設計改善晶片效能，更小的特徵尺寸仍是提升速度、降低功耗的關鍵，而微影技術則是其中一項限制因素。

在晶片製造商當中，英特爾(Intel)(INTC-US)已開始在生產中使用High NA。上個月，三星(Samsung)與SK海力士(SK Hynix)表示將於2028年跟進，台積電(2330-TW)(TSM-US)則預計在2030年導入。

論文指出，蔡司目前已能製造精度足以用於Hyper NA的反射鏡，而這套設備的體積只會比High NA設備略大。High NA設備目前的尺寸已相當於一輛雙層巴士。

作者表示，超越Hyper NA之後，相關設備可能需要使用波長更短的光，而這仍屬於學術研究的範疇。

作者指出，ASML目前的光源「可以原樣重複使用」於Hyper NA。論文另在註釋中提到，若採用自由電子雷射的替代技術，也不會改變照明系統的設計。

這些說法與美國新創公司xLight和Substrate有關。xLight正在開發自由電子雷射光源。馬斯克曾暗示，他可能偏好在德州的Terafab晶片工廠採用這種技術。Substrate則正在開發X光微影技術。