中國記憶體製造商長鑫存儲加速布局伺服器記憶體市場，並將推出新一代DRAM架構。長鑫科技(688825-CN) 核心子公司長鑫存儲總裁曹堪宇週六（10日）表示，公司預計年底推出採用4F²架構的新一代DDR5 RDIMM產品，透過縮小記憶體單元面積、提高儲存密度，突破現有DRAM製程瓶頸。
根據陸媒報導，曹堪宇在第四屆集成芯片和芯粒大會上介紹，4F²架構的一項關鍵創新，是採用垂直環繞閘極（VSG）電晶體結構，藉由改善閘極控制能力，降低漏電與短通道效應，同時利用垂直配置縮小電晶體占用面積，進一步提高記憶體儲存密度。
DRAM產業正持續追求更高的儲存密度，目前主流架構為6F²，其中F代表製程中的最小特徵尺寸。相較之下，4F²架構可將單一記憶體儲存單元的面積縮小，有助於在相同面積內配置更多儲存單元，提升晶片容量。
從6F²轉向4F²，不只是縮小電晶體，更涉及整體製程架構的調整。 早期的4F²設計主要著重於2D電晶體布局，記憶體陣列與周邊邏輯電路必須共用微影及摻雜製程條件，限制了效能表現，未能超越6F²架構。
隨著6F²架構持續微縮的難度提高，業界開始推動4F²朝3D架構發展，透過將DRAM與CMOS製程分離，並採用晶圓級混合鍵合技術實現高速互連，讓邏輯電路效能與記憶體單元密度得以分別最佳化，降低既有製程限制。
曹堪宇並透露，長鑫存儲在4F²架構相關技術上的公開專利族已超過300件，數量居業界領先地位。
長鑫存儲此次選擇DDR5 RDIMM作為4F²架構的首代產品，也反映公司正積極拓展伺服器記憶體市場。
過去，海外記憶體廠商在伺服器市場占據優勢，長鑫存儲的下游應用則較偏重消費性電子產品。相較於消費級記憶體著重運算速度，伺服器記憶體還必須滿足長時間、不間斷運作的需求，技術與工程門檻相對較高。
長鑫科技總經理趙綸9月在業績說明會上表示，公司上半年持續拓展伺服器領域業務，相關產品的營收貢獻已經增加。
隨著4F²架構產品預計年底問世，長鑫存儲將進一步把新技術導入伺服器記憶體領域，嘗試突破既有市場格局。
除了4F²架構，長鑫科技近期也持續更新DRAM技術布局。
長鑫科技8月底宣布，最新一代低功耗記憶體LPDDR6已進入量產，成為業界較早量產LPDDR6的廠商之一。
9月，長鑫存儲又在世界製造業大會上宣布，第五代DRAM技術平台（G5）實現量產，製程水準已接近全球頂尖的記憶體量產平台。
根據市場研究機構Counterpoint數據，以全球DRAM廠商營收計算，長鑫科技2026年第二季市占率為7%，排名全球第四。
