中國長鑫儲存(688825-CN) 宣稱，將於年底前推出採用4F²記憶單元設計的DDR5 RDIMM，記憶單元面積縮小約三分之一。不過，瑞穗科技、媒體與電信（TMT）產業專家Jordan Klein表示，這項消息並未改變美光科技(MU-US) 、SanDisk (SNDKV-US) 、SK海力士(000660KS) 或三星電子(005930KS) 投資人的短期投資判斷。
Klein在致客戶報告中寫道：「如果我持有美光、SanDisk、SK海力士或三星，不會因為長鑫高層昨天談到新一代先進DDR5設計藍圖，就拋售持股或陷入恐慌。在我看來，這並未改變短期局勢。這件事值得密切追蹤，但也僅止於此。」
長鑫這項技術藍圖的核心，是結合4F²記憶單元架構與垂直環繞閘極電晶體的DDR5 RDIMM，目標於2026年底前推出產品。
根據瑞穗對長鑫說法的整理，這款記憶單元的面積，將比目前DDR5採用的6F²設計縮小約三分之一。
Klein提出七項理由，說明這項消息為何遠不足以構成競爭威脅。其中最關鍵的是時程比較基準不同：據報導，三星同類4F² DRAM技術的量產目標為2028年，長鑫則宣稱將於2026年底前推出產品。
Klein認為，這兩項里程碑無法直接比較。他寫道：「年底推出產品，不能直接拿來與外界報導的三星2028年量產目標相比。產品亮相，並不代表製造成熟度、良率或成本競爭力已獲得驗證。」
對於令部分記憶體投資人不安的供給過剩疑慮，Klein同樣抱持懷疑態度。他指出：「長鑫尚未證明其4F²產品已成功量產，也未提供經驗證的良率與效能，因此現在就認定供給即將過剩，還言之過早。」
長鑫尚未公布這款4F²伺服器RDIMM的完整規格、經驗證的良率、客戶認證結果，或商業規模的出貨承諾。
Klein也反駁記憶單元面積縮小就必然降低晶片成本的假設，指出製程複雜度、良率與整合等因素，都會影響最終成本，而長鑫尚未證明在這些方面已具備與競爭對手相當的實力。
他進一步強調，這款產品屬於傳統伺服器DRAM，並非高頻寬記憶體（HBM）。HBM採用堆疊式記憶體架構，是以GPU與ASIC為核心的AI加速器機櫃的重要組成部分。
這項差異意味著，長鑫短期內對AI運算基礎建設擴張的影響有限，而這波建設熱潮正是推升主要記憶體供應商估值溢價的動力。
值得注意的是，布局4F²技術並非中國獨有。瑞穗指出，三星與SK海力士也在推進類似的DDR5 4F²設計，意味著這項技術是整個產業的轉型方向，而非中國獨有的突破。
據稱，Digitimes一篇被Klein形容為「較為平衡」的報導，也對長鑫宣稱的技術進展潑了冷水，進一步支持他的審慎看法。
不過，Klein並未全盤否定長鑫的長期競爭潛力。他寫道：「不能輕忽長鑫，也不能輕忽其NAND同業長江存儲（YMTC），我也沒有這麼做。」他並補充，長鑫正積極投資，以向中國國內客戶供應傳統DRAM及更先進的記憶體。
