中國半導體設備業者朗道燧岩 (Langdao Silex) 在上海第 26 屆中國國際工業博覽會上，首次公開展示極紫外光 (EUV) 光源系統樣機。據現場工作人員介紹，該系統國產化率達 90%，可用於晶片曝光測試，但距離量產仍需 3 至 5 年。
科技媒體《Wccftech》週四 (15 日) 報導這項進展。不過，EUV 光源只是先進微影設備的關鍵組件之一，樣機亮相並不代表中國已具備完整 EUV 曝光機的商業量產能力，現階段仍難據此判定艾司摩爾 (ASML-US) 的市場地位將受到實質撼動。
宣稱系統國產化率達 90%，多數核心零組件自主研發
據《IT之家》週三 (14 日) 報導，朗道燧岩在本屆工博會展示 EUV 光源系統樣機。展會於 10 月 12 至 16 日在上海國家會展中心舉行。
現場工作人員表示，展出光源系統的國產化率達 90%，絕大多數核心零組件為自主研發，採用與國際領先廠商相同的技術路線，可用於晶片曝光測試。
上述國產化比例與測試能力均為現場人員說法，相關報導未提供獨立驗證結果，也未說明國產化率的具體計算方式。
低功率產品規格曝光，須與展出樣機分開看待
除了展出樣機，《IT之家》另引述公司官網資料指出，朗道燧岩已列出低功率 EUV 光源系統 FlintNano LPP-OXXO，以及高功率 FlintMicro-LPP 系列等產品。
其中，低功率 FlintNano-LPP 系列已進入產品化階段，高功率 FlintMicro-LPP 系列則已完成原理論證。相關報導未明確確認，展出樣機是否就是 FlintNano LPP-OXXO，因此產品頁規格不宜直接視為展出機台的實測成果。
依報導引述的公司規格，FlintNano LPP-OXXO 採用雷射產生電漿 (LPP) 技術，驅動雷射功率為 1,000 瓦，重複頻率介於 1 至 20 kHz，轉換效率超過 2%，EUV 輸出功率超過 15 瓦，持續運轉時間超過 100 小時。
其中，1,000 瓦指的是驅動雷射功率，並非 EUV 光的輸出功率。上述數據為媒體引述的公司資料，並非第三方驗證的性能結果。
光源量產估需 3 至 5 年，整機整合仍是難關
據現場工作人員估計，該 EUV 光源系統距離量產仍需 3 至 5 年，目前主要挑戰在於提升輸出功率與長期運轉穩定性。這項時程針對光源系統，不能解讀為完整 EUV 曝光機可在同一期間內量產。
ASML 官方技術資料顯示，其 EUV 光源同樣採用 LPP 技術，透過雷射照射高速移動的錫滴，產生發出 EUV 光的電漿。不過，採用相同技術路線，並不代表兩者已具備相當的性能與可靠性。
完整 EUV 曝光機除了光源，還需要多層反射鏡、光罩、真空系統，以及高精度晶圓載台等設備協同運作。從光源樣機走向晶片工廠所需的長時間、高產能運轉，仍須跨越光學、精密控制與系統整合等多項門檻。
朗道燧岩此次展示代表中國 EUV 光源研發的一項進展，但能否將原型轉化為穩定、可量產的工業產品，以及進一步整合至完整微影系統，仍有待後續驗證。
