據外媒引述《The Information》周五(7日)報導，應最大客戶輝達(NVDA-US)要求，台積電(2330-TW)(TSM-US)近期已著手研擬3D DRAM生產計畫。知情人士透露，台積電正評估兩種方案，包括新建晶圓廠，或收購既有廠房改造為記憶體生產線。計畫仍在研擬階段，投產時程尚未明朗。
報導指出，這項計畫由台積電先進封裝技術發展副總經理徐國晉主導。徐國晉曾任台灣美光董事長，目前負責台積電三維積體電路(3D IC)與先進封裝等系統整合技術的開發。台積電與輝達均未立即回應置評請求。
動態隨機存取記憶體(DRAM)用來暫存裝置運作時所需的資料。傳統DRAM的記憶單元排列在同一平面，3D DRAM則將記憶單元垂直堆疊，以提高儲存容量。若台積電投入生產，將在先進記憶體市場與三星電子(005930-KS)、SK海力士(000660-KS)(SKHY-US)及美光(MU-US)競爭。
輝達尋求更多供應來源，背後是AI硬體需求激增，導致記憶體晶片嚴重短缺、價格飆升。成本壓力也已波及消費電子產品。蘋果(AAPL-US)同樣在尋找更多記憶體供應來源，今年稍早調高部分產品售價時，就曾將記憶體成本上升列為原因之一。
