隨著全球晶片製程技術持續進化，南韓科技巨頭三星電子 (Samsung Electronics) 宣布，已經開始量產使用極紫外光 (EUV) 光刻技術製造的第三代 10 奈米級 LPDDR5 DRAM 晶片，領先於業界，未來 DRAM 製程也將有望朝向個位數奈米製程前進。
三星電子宣布，該公司位於南韓平澤市的第二條半導體生產線，已經開始量產領先於全球的第三代 10 奈米級 LPDDR5 DRAM 晶片，達到業界內最大的容量和最快的速度。
三星電子最新的 10 奈米級 LPDDR5 DRAM 晶片，傳輸運行速度高達 6400Mb/s，較目前市場上旗艦版智慧型手機的 12 GB LPDDR5 DRAM 晶片快上 16%。該公司也指出，配備 16 GB 記憶體的智慧型手機將可以每秒傳送 51.2 GB 的數據，相當於 10 部高畫質電影。
此外，最新的 10 奈米級 LPDDR5 DRAM 晶片也比先前的產品薄 30%，將有助於為配備多項零組件的產品，如高階相機手機或 5G 手機，以及有厚度考量的產品，如可折疊式手機，提供最佳解決方案。
報導指出，在今年 2 月份，三星電子便已經開始使用第二代 10 奈米級工藝製程技術量產 16GB LPDDR5 DRAM。在短短六個月內，該公司更進一步加強了高階行動 DRAM 產品組合，包括導入新一代晶片製程技術。
在 DRAM 領域中，南韓 SK 海力士排名全球第二，市占率僅次於三星電子。如今，SK 海力士也正積極研發將 EUV 技術應用於第四代 10 奈米級產品，並計畫於 2021 年實現量產，與三星電子相比，SK 海力士大約落後了六個月到一年的時間。
