據《日本經濟新聞》週四 (10 日) 報導，日本 IDM 大廠羅姆半導體 (Rohm) 將於 2022 年春天展開氮化鎵 (GaN) 功率元件的量產。羅姆在日本濱松工廠設置生產機台，初期將供貨給 5G 基地台等來做使用。
氮化鎵功率元件具有高電壓、大電流等特性，除了適合用於電聯車和電動車之外，也因為其優異的高速開關性能，資料中心和基地台等也有相當需求。羅姆的氮化鎵功率半導體，特徵在於電源電路設計有較大的容許度範圍和可靠性，開關切換瞬間之功率損耗更較以往產品減少 6 成。
羅姆將於濱松工廠等日本國內外的生產據點，量產 150V GaN HEMT。該產品適用於資料中心和基地台。
羅姆位在日本靜岡縣濱松市的工廠，由於其設備投資對減碳有所貢獻，基於日本「產業競爭力強化法」的規定，將可獲得一定程度的租稅減免。
羅姆除了生產氮化鎵功率元件之外，另外也有生產碳化矽 (SiC) 功率元件。由於碳化矽功率元件的高電壓特性更佳，主要鎖定電動車的核心零組件市場，取向各有不同。
羅姆半導體元件業務的營收，計畫在 2025 年度 (至 2026 年 3 月) 時要達到 2100 億日圓規模，是當前的 1.5 倍之多。
