記憶體廠華邦電 (2344-TW) 今 (11) 日召開法說，為因應高雄新廠建廠及產能擴充，今年資本支出將達 458 億元，相較去年的 94 億元、大增 3.87 倍。
華邦電高雄新廠 1 月開始裝機，將導入 25S 奈米製程，預計第三季小量投片，第四季可望達月產能 1 萬片規模，第一期包括建廠費用在內，資本支出共達 620 億元。
陳沛銘指出，由於各家機台設備採購交期拉長，加上客戶需求明確、25s 奈米良率表現佳，為使新廠能快速達到經濟規模，決定提前啟動第二階段擴產規劃，將再擴增額外的 1 萬片產能，目標 2023 年第四季投產。
為因應擴產需求，華邦電董事會今日也通過資本支出 289.9 億元，加上第一期的資本支出金額 620 億元，高雄新廠目前預計將投入超過 909 億元。
除高雄廠外，華邦電台中廠也將小幅擴充產能，預計今年底前，將產能由目前的 5.8 萬片，提升至 6 萬片，主要為 Flash 產能，未來待高雄新廠開始量產，會將更多台中廠 DRAM 產能轉至 Flash。
