三星電子週四 (30 日) 正式宣布量產 GAA 架構的 3 奈米製程，成為全球第一家量產 3 奈米製程的晶圓代工廠商，但並未公布首發客戶名單。
三星最新聲明中指出，三星在 3 奈米製程節點中導入 GAA 架構，以突破 FinFET 架構性能限制，這個新世代製程通過降低電源電壓來提高功率效率，同時通過增加驅動電流能力來提高性能，能以更小的體積實現更好的功耗表現，以滿足各種客戶的需求。
三星稱，GAA 的設計靈活性非常有利於設計技術協同優化 (DTCO)，與 5 奈米製程工藝相比，第一代 3 奈米製程可將功耗降低 45%、性能提高 23%，晶片面積減少多達 16%，而第二代 3 奈米製程可降低高達 50% 的功耗，提高 30% 的性能和減少 35% 的面積。
三星電子總裁暨晶圓代工事業部負責人 Siyoung Choi 表示，三星在晶圓代工行業的首個高介電常數金屬閘極 (HKMG)、FinFET、EUV 等新一代技術應用一直保持著領先地位，公司尋求持續在全球首個 MBCFET™ 3 奈米製程方面的領導地位，將在競爭性技術開發方面積極創新，並建立有助於加速實現技術成熟的流程。
三星並未公布首發客戶名單，但市場傳出三星 3 奈米製程最初客戶有上海磐矽半導體 (PanSemi) 和高通 (QCOM-US) 等公司。
三星此前曾宣布將 GAA 技術應用於 3 奈米製程後，計劃明年把 GAA 技術導入第二代 3 奈米晶片，並在 2025 年量產以 GAA 製程為基礎的 2 奈米晶片。
