三星電子今 (30) 日宣布開始量產 3 奈米晶片，成為首家導入 3 奈米 GAA(環繞閘極技術) 的公司，與台積電 (2330-TW)(TSM-US) 在先進製程上的競爭趨於白熱化，不過，業界指出，GAA 架構技術複雜、價格相對高昂，台積電採用 FinFET 技術量產 3 奈米將較具競爭力，除良率外，從客戶關係、生態系等各面向來看，三星短期要超車台積電，仍沒有那麼容易。
三星在 3 奈米製程中導入 GAA 架構，以突破 FinFET 架構性能限制，三星表示，此新世代製程通過降低電源電壓來提高功率效率，同時增加驅動電流能力來提高性能，能以更小體積實現更好的功耗表現。與目前的 5 奈米晶片相較，3 奈米製程生產的晶片將減少 16% 表面積、性能提高 23%、功耗降低 45%。
雖然三星搶先台積電一步，鳴響 3 奈米製程量產第一槍，不過，業界人士指出，GAA 架構雖能更精準控制通道電流，縮小晶片面積與降低功耗，但量產難度相當高，GAA 為 4D 製程，較 3D 的 FinFET 複雜許多，且 GAA 製程價格也將較 FinFET 昂貴，三星良率問題也始終受外界質疑，後續還須觀察量產良率與客戶採用意願。
台積電則預計今年下半年量產 3 奈米晶片，且採用較成熟的 FinFET 技術，2025 年量產 2 奈米製程時，才會採用 GAA 技術。業界人士認為，台積電 3 奈米沿用 FinFET 技術，主要是考量技術成熟度、成本競爭力與效能等因素，在 FinFET 生態系相對成熟下，將更具成本競爭力。
