美商記憶體大廠美光週二 (26 日) 宣布，公司最先進、全球首款 232 層 NAND 快閃記憶體晶片已開始出貨，提供比前幾代 NAND 更高的容量和更佳的能源效率。
與前一代產品相比，美光 232 層 NAND 晶片採用 3D TLC 架構，每晶粒寫入頻寬提高 100%，讀取頻寬亦增加超過 75%，數據傳輸速率提高 50%，採用比前代產品小 28% 的新封裝尺寸，進一步強化 SSD 和嵌入式 NAND 解決方案的性能和能源效率，可以支援消費性電子產品、汽車和資料中心使用。
美光技術與產品執行副總裁 Scott DeBoer 表示：「美光 232 層 NAND 晶片作為儲存裝置創新的分水嶺，首次證明美光具有將 3D NAND 擴展到 200 層以上堆疊的製造能力。這項開創性的技術涵蓋諸多層面的創新，包括建立高深寬比結構的先進製程能力、新型材料的開發，以及針對美光獨步業界的 176 層 NAND 技術所進行的設計改進。」
美光執行副總裁兼事業長 Sumit Sadana 則說：「美光在 NAND 層數方面皆取得業界第一，改善行動裝置電池使用時間、打造更精巧的行動裝置儲存空間、更強大的雲端運算性能，以及更快的人工智慧模型訓練等優勢，鞏固美光在業界的技術領先地位，美光 232 層 NAND 晶片將是支持各產業數位轉型的端到端儲存創新的全新基礎和標準。」
美光預計 232 層 NAND Flash 晶片目前正在新加坡晶圓廠生產，量產預計將於 2022 年底開始。
美光最先以組件的方式將 232 層 NAND Flash 晶片供貨給 Crucial 消費級 SSD 產品線與合作夥伴，計劃今年晚些時候這款晶片將廣泛應用於智慧型手機、平板電腦、筆記型電腦、資料中心和智慧邊緣的解決方案中。
