天虹12/12轉上市 明起競拍底價100元

左至右為天虹執行長易錦良、董事長黃見駱、創辦人羅偉瑞。(鉅亨網資料照)
左至右為天虹執行長易錦良、董事長黃見駱、創辦人羅偉瑞。(鉅亨網資料照)

半導體設備商天虹 (6937-TW) 預計 12 月 12 日掛牌,為配合上市前公開承銷,對外競價拍賣 4624 張,競拍底價 100 元,暫定承銷價 115 元,競拍時間為明 (22) 日至 24 日,11 月 28 日開標,11 月 30 日至 12 月 4 日辦理公開申購,12 月 6 日抽籤。

天虹成立於 2002 年,經營團隊來自應用材料 (AMAT-US),近年從半導體零組件維修跨足到物理氣相沉積 (PVD)/ 原子層沉積 (ALD) 設備研發製造,也將技術延伸到貼合機 / 分離機 (Bonder/Debonder) 以及去殘膠 (Descum) 設備。

天虹表示,今年為滿足客戶需求已啟動擴產,無塵室面積較去年增加 50%,預期明年會再較今年增加 50%,產能呈現倍增,看好明年不論是矽基半導體、第三代半導體相關設備銷售都會成長。

此外,天虹除持續專注物理氣相沉積 (PVD) 及原子層沉積 (ALD),也開發薄膜電阻製程 (TFR)、量子點 (QD)、矽晶及玻璃穿孔等不同製程,目標是與前端晶圓廠密切合作,進行機台的開發與認證,以提供關鍵零組件並持續提升品質。

隨著高真空電漿設備不斷面臨更高的技術挑戰,天虹持續從用戶的製程目標出發,與客戶早期投入合作並在開發階段進行協作,並在客戶產品成功上市時,有機會將其製程設備也一併列為標準配備,藉此推升營運動能。


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