據《wccftech》引述韓媒《DealSite》報導，輝達 (NVDA-US) 的品質測試似乎讓 HBM 製造商遇到了困難，因為與傳統記憶體產品相比， HBM 良率明顯較低。
良率問題很常見，主要與半導體晶圓有關，以單一矽晶圓生產的半導體晶片的數量來衡量。 將良率維持在最佳水準一直是台積電 (2330-TW)(TSM-US) 和三星代工等公司面臨的一個巨大問題和任務，但這個問題似乎也蔓延到了 HBM 行業。
韓媒報導稱，美光 (MU-US) 和 SK 海力士等廠商在輝達下一代 AI GPU 資格測試的競爭中正面對決，而且似乎差距不大，良率是他們的阻礙。
在 HBM 領域，良率主要與堆疊架構的複雜性相關，該架構涉及多個儲存層和用於層間連接的複雜矽通孔 (TSV)。 這種複雜性增加了製造過程中出現缺陷的機會，與更簡單的記憶體設計相比，可能會降低成品率。
製作過程中，如果其中一顆 HBM 晶片被證明有缺陷，則整個堆疊都會被丟棄，這表明製造過程有多複雜。
消息人士稱，目前 HBM 記憶體的整體良率在 65% 左右。其中，美光和 SK Hynix 似乎在這場競爭中處於領先地位，據報導，美光已開始為輝達的 H200 AI GPU 生產 HBM3E，因為它已經通過了 Team Green 設定的認證階段。
另據報導，SK 海力士副社長金起台 (Kim Ki-tae) 2 月 21 日則在官方落格指出，雖然外部的不穩定因素仍在，但今年記憶體市場可望逐漸加溫。 其中原因包括，全球大型科技客戶的產品需求恢復。 此外，PC 或智慧型手機等 AI 裝置對於人工智慧的應用，不僅會提升 HBM3E 銷量，DDR5、LPDDR5T 等產品需求也有望增加。
金起台表示，今年旗下 HBM 已全數售罄。 雖然 2024 年才剛開始，但公司為了維持市場領先地位，已開始為 2025 年準備。
