《華爾街日報》(WSJ)周五 (5 日) 援引知情人士消息報導，三星電子計劃將德州半導體投資的金額提高逾一倍，達到約 440 億美元，此舉為美國尋求生產更多世界尖端晶片的重大突破。
報導指出，三星計畫在目前位於德州奧斯汀 (Austin) 近郊泰勒市 (Taylor) 半導體工廠蓋新廠，預估建廠成本超過 200 億美元。據悉，三星將於 4 月 15 日在新廠預定地召開記者會，宣布這筆擴大投資案。
據了解，三星的新投資將集中在德州泰勒市，包含一座新的晶片製造工廠，以及一座進行先進封裝和研發的設施。三星原先是在兩年多前，宣布在德州泰勒市投資 170 億美元設廠，距離奧斯汀的現有三星工廠不遠。
三星已在前年開始動工打造位於泰勒市的首座晶圓廠，預估最快今年量產。受通膨與其他因素影響，該座晶圓廠的成本已攀升，需要額外投資數十億美元，而第二座晶圓廠可能要耗資逾 200 億美元，兩座晶圓廠的具體投資金額可能會依情況而有所改變。
拜登政府正利用激勵措施和政策支持，試圖讓全球晶片製造商在美國本土建廠。外媒今年 3 月報道稱，美國政府計劃向三星提供 60 多億美元的資金，幫助其在得州擴大原先宣布的建廠計畫。
對於上述報導，三星和商務部皆拒絕置評。
