2025年HBM價格再漲5-10% 占DRAM產值估逾3成

記憶體示意圖。(圖:REUTERS/TPG)
記憶體示意圖。(圖:REUTERS/TPG)

研調機構 TrendForce 資深研究副總吳雅婷今 (6) 日表示,HBM 與 DDR5 價差約五倍,隨著 AI 晶片擴大採用 HBM,HBM 佔整體 DRAM 的產能及產值均大幅提升,以 2023 至 2025 年來看,HBM 佔 DRAM 總產能分別是 2%、5% 以及超過 10%,佔 DRAM 總產值 2024 年就可超過 20%,2025 年甚至有機會超過 30%。

吳雅婷指出,原廠今年第二季已提早與客戶針對 2025 年 HBM 進行議價,包含 HBM2e、HBM3 與 HBM3e,原廠決議漲價 5-10%,至於提前議價原因有三大點,一是 HBM 買方對於 AI 需求展望具高度信心,願意接受價格續漲。

二是 HBM3e 的 TSV 良率目前僅 40-60%,仍有提升空間,且並非三大原廠都已通過 HBM3e 的驗證,因此買方也願意接受漲價,以鎖定品質穩定的貨源。

最後則是未來 HBM 每 Gb 單價可能因 DRAM 供應商的可靠度,以及供應能力產生價差,對於供應商而言,未來平均銷售單價將會因此出現差異,並進一步影響獲利。

展望 2025 年,從主要 AI 解決方案供應商的角度來看,HBM 規格需求大幅轉向 HBM3e,且將會有更多 12hi 產品出現,帶動單晶片搭載 HBM 的容量提升,根據 TrendForce 預估,2024 年的 HBM 需求位元年成長率近 200%,2025 年可望將再翻倍。


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