HBM 大廠 SK 海力士今 (26) 日宣佈，公司將率先量產 12 層 HBM3E，容量達 36GB，比上一代高出 50%，為現有 HBM 產品中容量最大的產品，且透過將單片 DRAM 晶圓薄度減少 40%，並採用矽穿孔技術 (TSV) 技術垂直堆疊，12 層厚度與 8 層相同。
SK 海力士說，公司將在年底前向客戶提供新產品，也是繼今年 3 月領先業界向客戶供應 8 層 HBM3E 後，僅時隔 6 個月再次推出 12 層的 HBM3E。
SK 海力士強調，公司自 2013 年全球首度推出第一代 HBM 後，至現階段第五代的 HBM3E， 公司是唯一一家開發並向市場供應全系列 HBM 產品的企業，此次領先業界成功量產 12 層堆疊產品，不僅滿足 AI 日益發展的需求，同時也進一步鞏固公司在面向 AI 記憶體市場的領導者地位。
SK 海力士表示，12 層 HBM3E 在面向 AI 的記憶體所需要的速度、容量、穩定性等所有方面都已達到全球最高水準。
SK 海力士此次新產品運行速度提高至現有記憶體的最高速度 9.6Gbps，在搭載四個 HBM 的單個 GPU 中運行大型語言模型 (LLM) Llama 370B 時，每秒可讀取 35 次 700 億個整體參數。
AI Infra 擔當金柱善社長表示，公司再次突破技術壁壘，證明公司在面向 AI 的記憶體市場中獨一無二的主導地位，為迎接 AI 時代挑戰，公司將穩步準備下一代記憶體產品，以鞏固全球頂級面向 AI 的記憶體供應商的地位。
