華爾街投資機構普遍認為，在全球人工智慧（AI）算力基礎建設全面加速，以及「記憶體晶片超級週期」成形的雙重推動下，半導體設備產業正站上新一輪長期成長起點。
華爾街頂級投資機構 KeyBanc Capital Markets 近期發布研究報告指出，隨著 AI GPU、AI ASIC 以及 DRAM、NAND 產能急速擴張，半導體設備廠商將成為這波投資浪潮中最大的受益者，並有望迎來屬於自身的「設備超級週期」。
花旗集團 (C-US) 近日也在最新研究報告中指出，在 AI 算力與記憶體需求快速攀升的背景下，半導體設備產業將成為最直接、也最具爆發力的受惠族群之一。
花旗預期，該產業有望展開所謂的「第二階段牛市上行週期」，意即在 2024 至 2025 年已出現的大幅上漲之後，市場仍將延續新一波上行走勢。
花旗進一步強調，展望 2026 年，投資策略的重心並非只是普判看多半導體，而是精準鎖定晶圓廠設備相關的龍頭公司，包括艾司摩爾 (ASML-US) 、科林研發 (LRCX-US) 以及應用材料 (AMAT-US) ，作為掌握產業成長動能的核心標的。
花旗分析師團隊指出，所謂的「第二階段上行週期」，核心在於市場評價邏輯的轉變，將不再只是估值自低檔回升，而是進入獲利預期持續上調的階段。
隨著晶圓廠設備市場規模由基本情境逐步朝多頭情境發展，設備龍頭企業在規模效應、產能利用率提高，以及先進製程比重快速拉升的帶動下，獲利成長的彈性甚至可能超越營收增幅。
基於這樣的判斷，花旗選擇以艾司摩爾、科林研發以及應用材料組成的半導體設備龍頭組合，作為詮釋產業成長斜率持續向上的代表標的。
隨著微軟 (MSFT-US) 、Google(GOOGL-US) 、Meta(META-US) 等科技巨頭持續加碼全球超大型 AI 資料中心建設，相關投資熱度不斷升溫，也全面推動晶片製造大廠加快 3 奈米及以下先進製程 AI 晶片的擴產步伐，同時帶動 CoWoS、3D 先進封裝，以及 DRAM、NAND 記憶體產能同步擴張。
在這樣的產業背景下，半導體設備產業所具備的長期多頭基礎愈發穩固。
Google 於 11 月下旬推出 Gemini 3 AI 生態後，相關 AI 應用迅速席捲市場，導致算力需求瞬間暴增。龐大的 token 處理量甚至迫使 Google 限縮部分免費與訂閱方案使用量。
與此同時，韓國出口數據顯示，SK 海力士與三星電子的 HBM 與企業級 SSD 需求持續強勁，印證華爾街所言「AI 算力基礎建設仍處於早期供不應求階段」。
多家投行，包括摩根士丹利 (MS-US) 、花旗 、Loop Capital 與 Wedbush 均認為，這波以 AI 硬體為核心的全球基礎建設投資才剛起步，在 AI 推理算力需求爆發的推動下，至 2030 年整體投資規模可能高達 3 至 4 兆美元。
美國銀行 (BAC-US) 近日也發布研究報告指出，全球 AI「軍備競賽」目前仍停留在早期至中期階段。
另一方面，全球最大資產管理機構之一先鋒集團（Vanguard）也在最新研究中評估，整體 AI 投資週期可能僅走完最終高峰的約 30% 至 40%。
不過，該機構同時提醒，隨著估值走高，大型科技股出現回檔修正的風險正逐步升溫。
從股價表現來看，美國半導體設備類股在今年開年後展現強勁走勢。
- 曝光機設備龍頭艾司摩爾的美股 ADR 於 2026 年初改寫歷史新高，1 月 2 日單日漲幅逾 8%，年初至今累計上漲約 27%，市值推升至約 5,200 億美元。
- 專注於刻蝕與沉積技術的科林研發，自 2025 年下半年以來股價頻頻刷新高點，2026 年開年至今漲幅約 30%。
- 至於產品線涵蓋多數高階製程設備的應用材料，年初以來同樣多次創高，漲幅約 28%。
整體而言，三大設備龍頭的表現明顯超越標普 500 指數，以及被視為科技股風向標的那斯達克 100 指數。
世界半導體貿易統計組織（WSTS）近日發布最新產業展望指出，全球晶片需求的擴張動能可望在 2026 年持續維持高檔，不僅高階運算相關晶片表現亮眼，自 2022 年底以來長期低迷的 MCU 與類比晶片，也有機會正式步入明顯復甦階段。
在市場規模方面，WSTS 預估，全球半導體產業在 2024 年強勁反彈之後，2025 年市場規模將年增 22.5%，達到 7,722 億美元，高於該組織先前於春季提出的預測。
展望 2026 年，全球半導體市場總值可望進一步攀升至 9,755 億美元，逼近 SEMI 所預期的 2030 年 1 兆美元里程碑，年增幅度估計達 26%。
WSTS 指出，連續兩年的高速成長，關鍵動能來自兩大核心領域：一是由 AI GPU 與 TPU 帶動的邏輯晶片市場，二是以 HBM、高階 DDR5 RDIMM 以及資料中心用企業級 SSD 為主的記憶體產品線。
隨著 AI 推理系統與雲端運算基礎建設持續擴張，這兩個板塊預期都將維持顯著的雙位數成長幅度，成為推升整體半導體市場的重要引擎。
晶片產能擴充浪潮啟幕，半導體設備廠商大贏
DRAM 與 NAND 記憶體晶片需求持續走強，包含 DDR4、DDR5 以及企業級 SSD 在內的多項產品價格明顯走高，主因在於 AI 算力浪潮將記憶體的重要性推升至前所未有的高度。
無論是 AI 訓練還是推理系統，對高速、高容量記憶體的依賴日益加深，而全球算力需求正呈現近乎指數型成長，供給端明顯追趕不及，這一落差也在台積電 (2330-TW) 最新公布的亮眼財報中表露無遺。
作為全球晶片代工龍頭，台積電第四季毛利率首度站上 60%，獲利表現遠優於市場預期，並預估 2026 年全年營收成長率將接近 30%。
同時，公司大幅上調 2026 年資本支出規模至 520 至 560 億美元，兩項關鍵指引均顯著高於市場原先預估。
此外，管理層也同步上修 AI 相關晶片代工業務的長期成長展望，將營收複合年增率由原先的「40% 中段」調升至「50% 中高段」。
在台積電強勁業績與前瞻指引帶動下，美股晶片族群同步走揚，其中以記憶體與半導體設備類股漲勢最為突出，反映市場對資本支出擴張效應的高度期待。
市場對台積電產能擴張的樂觀預期，並不僅來自輝達 (NVDA-US) 、超微半導體 (AMD-US) 與博通 (AVGO-US) 等 AI 晶片大廠所帶來的龐大資料中心訂單，也涵蓋蘋果 (AAPL-US) 長期穩定的消費性電子晶片需求。
特別是在資料中心用高效能企業級 SSD 領域，採用 PCIe Gen5、Gen6 的高階 NVMe SSD 主控晶片高度依賴台積電的先進製程產能，顯示在 AI 算力與儲存需求同步爆發下，現有產能難以滿足近乎「無止境」的訂單動能，迫使台積電必須持續擴充產線。
AI 基礎建設所牽動的「算力—記憶體—先進製程」投資循環，也讓半導體設備資本支出的黏著度顯著高於過往景氣循環。
一方面，龐大的 AI 訓練與推理需求推升先進邏輯晶片的投資力道，另一方面，高階記憶體產品，尤其是 HBM 與企業級 SSD，也成為資本支出成長的重要推手。
隨著製程日益複雜，單位晶圓所需的先進製程步驟與設備數量增加，使設備需求更具延續性，訂單能見度同步提升。
除了已公布大規模擴產計畫的台積電與美光科技 (MU-US) ，花旗分析師預期，隨著 AI 與記憶體需求持續升溫，SK 海力士、三星電子與英特爾 (INTC-US) 等全球主要晶片製造商，未來在財報說明中有望進一步上調 2026 年及之後的資本支出指引，帶動全球晶圓廠設備（WFE）支出朝更樂觀情境靠攏。
花旗特別指出，美光已在 2025 年底的法說會上，將 2026 財年資本支出由原先的 180 億美元上調至 200 億美元，年增幅高達 45%，其中晶圓廠建設相關投資幾近倍增，並預告 2027 財年仍將持續擴大投資。
作為三星與 SK 海力士在記憶體市場的主要競爭者，美光的積極擴產行動，可能進一步促使韓系大廠跟進調升資本支出，以維持競爭優勢。
整體而言，花旗的半導體投資邏輯明確聚焦於「晶片製造商資本支出增加，推動 WFE 市場規模擴大，最終反映在設備龍頭訂單、營收與獲利同步成長」的傳導路徑，並押注 2026 年半導體設備景氣仍將延續上行趨勢。
KeyBanc 分析師則在報告中分享其參與舊金山 SEMI 產業策略研討會的觀察指出，目前市場共識已大幅提前，普遍認為全球半導體銷售額最快可能在今年、最遲於明年突破 1 兆美元。相較於一年前多數預測落在 2029 至 2030 年，這樣的時間點明顯提前。
KeyBanc 認為，背後原因包括星際之門等超大型 AI 資料中心幾乎不設上限的資本預算、AI GPU 與 ASIC 需求暴增、2 奈米以下先進製程快速滲透，以及記憶體價格呈現倍數成長。
儘管部分利多已反映在股價之中，但當市場焦點轉向半導體設備的超級週期時，仍難以缺席；雖然審慎聲音依舊存在，但幾乎沒有人認為這波熱潮會在短期內結束。
KeyBanc 不隨主流押注龍頭，轉而鎖定三家半導體設備潛力股
相較於花旗將投資焦點集中在半導體設備三大巨頭，KeyBanc Capital Markets 最新策略明顯採取不同路線，將目光轉向三家成長彈性更高的設備供應商。
在週五（16 日）的美股交易中，半導體設備族群表現亮眼，其中應用材料、艾儀 (AEIS-US) 與萬機科技 (MKSI-US) 股價格外受到市場關注，主因正是 KeyBanc 在最新研究報告中，大幅調升這三家公司未來 12 個月的目標價。
艾儀：資料中心需求成為關鍵推力
針對艾儀，KeyBanc 再度重申「超配」評級，並將目標價由 240 美元上修至 280 美元。該機構認為，過去九個月股價快速上漲的趨勢仍有延續空間。
KeyBanc 指出，艾儀近期的強勁表現，主要來自其在資料中心相關應用的高度曝險。隨著未來數年 AI 與雲端基礎設施持續擴張，艾儀在多個層面都有望受惠。
分析師強調，目前半導體端的新產品尚未完全反映在財務數據中，但這反而有助於鞏固其在導體刻蝕 RF 電源領域的獨特地位，並進一步擴大在介電材料製程中的市占率。
基於此，KeyBanc 大幅上修艾儀對 2027 年與 2028 年各主要細分市場的營收成長預估，分別調高至 11% 與 10%。此外，若長期承壓的工業與醫療終端市場出現復甦，不僅將推升營收規模，也有助於優化整體產品組合。
分析師亦提醒，艾儀持續積極評估工業與醫療領域的併購機會，若順利推進，高端標的合計有望帶來約 5 億美元營收與每股 1.25 美元的獲利貢獻，加上併購綜效，將進一步拉升獲利表現。
同時，艾儀的營運策略正逐步展現成效，KeyBanc 預期其長期毛利率目標有機會自目前約 30% 提升至 43% 以上。
從產業結構來看，艾儀主力產品聚焦於 RF 與導電／介電材料加工設備，主要供應晶圓廠與先進封裝廠。
隨著資料中心規模快速放大，除了 AI 運算與儲存需求激增，高頻網路與 RF 元件需求同步升溫，直接推升相關設備的市場空間。
應用材料：估值落後，反而成為資金新選項
KeyBanc 同樣維持對應用材料的「超配」評級，並將目標價從 285 美元大幅調升至 380 美元。
分析師指出，相較於科磊 (KLAC-US) 與科林研發，應用材料的股價與估值表現明顯落後，反而創造出重新評價的空間。
KeyBanc 認為，應用材料近期表現相對保守，與其在中國及其他市場對先進製程節點的高度曝險有關。
不過，從長線角度來看，應用材料是業務版圖最為多元的設備供應商之一，隨著先進製程（最終包含 DRAM）逐步朝向垂直整合與複雜化發展，公司將能全面受益於先進封裝、沉積與刻蝕製程強度的提升。
此外，應用材料在傳統 DRAM 設備領域的曝險程度亦居同業之冠，而 DRAM 正是 AI 世代中最為吃緊的關鍵記憶體產品之一。
KeyBanc 認為，這最終將反映在大規模產能擴張上。該行同時預期，應用材料的「全球服務事業部」在 2027 至 2028 會計年度有望實現雙位數營收成長，主因在於客戶設備長時間維持高稼動率。
綜合評估之下，KeyBanc 認為，憑藉相對合理的估值與在半導體製造流程中的核心地位，應用材料極有機會成為新一輪資金回流的主要受益者。
事實上，在晶圓製造現場，應用材料的設備幾乎無所不在。不同於專注於曝光機技術的艾司摩爾，應用材料的產品線橫跨原子層沉積、化學與物理氣相沉積、快速熱處理、CMP、刻蝕、離子佈植等多個關鍵製程環節，並在 Hybrid Bonding 與 TSV 等 Chiplet 先進封裝技術中，提供高度客製化的解決方案，對台積電 2.5D／3D 封裝至關重要。
應用材料在最新的技術說明中指出，HBM 的製造流程相較於傳統 DRAM，額外增加約 19 道材料工程相關製程，而公司旗下最先進的半導體設備可覆蓋其中約 75% 的關鍵步驟。
公司同時發表專為先進封裝與記憶體堆疊設計的新一代鍵合系統，進一步強化其在高階封裝領域的技術布局。
整體來看，HBM 與先進封裝相關設備，已成為應用材料中長期最具成長動能的核心引擎；至於環繞式閘極（GAA）與背面供電（BPD）等新世代製程節點，則被視為推動公司下一波成長循環的關鍵技術支柱。
相較之下，科林研發的競爭優勢則高度集中於先進 HBM 記憶體製造所需的高深寬比（HAR）刻蝕與沉積技術及其相關製程能力。
無論是 3D NAND 還是新一代 DRAM 的立體結構與複雜互連設計，皆在很大程度上依賴科林研發具高度差異化的 HAR 製程技術，突顯其在高階記憶體設備領域的不可替代性。
萬機科技：子系統與電源設備成長潛力被低估
KeyBanc 也同步將萬機科技的目標價自 180 美元大幅調升至 250 美元，並維持「超配」評級。
分析師指出，考慮到萬機科技穩健的自由現金流表現，市場對其財務槓桿的疑慮並不必要。
萬機科技在多項半導體子系統領域具備廣泛佈局，將直接受惠於未來數年先進製造技術持續擴建。
特別是在 NAND 製程中，萬機科技的電源產品幾乎成為刻蝕設備的標準配置，即便短期內未出現大量新增產能，公司仍可透過製程升級帶來的設備更新支出，持續取得訂單。
在先進封裝方面，KeyBanc 尤其看好其在 PCB 與封裝基板「鑽孔填充」解決方案的技術突破，這些技術對提升高階晶片功率與效能具有關鍵影響，而目前市場幾乎沒有多餘產能可滿足需求。
KeyBanc 認為，在半導體銷售週期回溫與先進封裝長期擴產雙重推動下，萬機科技的營收與每股盈餘成長動能有望進一步加速。加上其相對同業仍具估值優勢，萬機科技仍是該行布局半導體設備多頭循環的核心標的之一。
整體而言，萬機科技的設備廣泛應用於刻蝕、薄膜沉積與先進封裝製程，其子系統與電源解決方案在高效能企業級 NAND 與先進封裝市場中，長期維持穩定市占與訂單能見度，並同時支撐邏輯晶片與封裝設備市場的產能擴張。
