市場研究機構 Omdia 與業界最新報告指出，全球記憶體晶片兩大龍頭三星電子（Samsung Electronics）與 SK 海力士（SK Hynix）正調整其產能配置，預計將於 2026 年小幅下調 NAND Flash 晶圓產量。在人工智慧（AI）資料中心需求爆發式成長的背景下，此舉預計將加劇全球市場供應緊缺，推動 NAND Flash 價格進一步攀升。
研究數據顯示，三星電子計劃將 NAND Flash 晶圓年產量從 2025 年的 490 萬片降至 2026 年的 468 萬片；SK 海力士也呈現類似趨勢，預計產量將從 190 萬片降至 170 萬片。這兩家公司合計佔據全球超過 60% 的市場份額，其產能變動對市場具有決定性影響。
業界分析認為，減產主要基於兩大考量：
1. 利潤優先策略：相較於目前盈利能力極高的 DRAM 產品，NAND Flash 的利潤率相對較低。三星與 SK 海力士管理層認為，在當前的記憶體超級週期中，優先投資高收益產品並採取「價格防禦」策略，比貿然擴產更能確保企業獲利。
2. 產品組合調整：面對中國廠商（如長江儲存）在通用型 NAND Flash 市場的激烈競爭，韓國巨頭正策略性減少行動端與 PC 領域的供應，轉而集中資源開發利潤更高、技術門檻更高的伺服器及企業級產品。
AI 浪潮推升需求 下一代加速器成關鍵動能
儘管晶圓產量下調，但受惠於技術轉型，單位儲存容量供給仍有成長空間。為滿足 AI 資料中心對高容量固態硬碟（SSD）的需求，各大廠商正積極從三層單元（TLC）轉向四層單元（QLC）技術。
QLC 技術能顯著提升儲存密度並降低綜合成本，雖然技術轉換期間會產生「自然減產」，但這被視為應對 AI 市場的必然選擇。
花旗銀行預測，輝達 (NVDA-US) 下一代 AI 加速器「Vera Rubin」將於今年下半年量產。每台伺服器系統預計需要額外 1,152TB 的 SSD 支援。據估算，單是此項新增需求，將在 2026 年與 2027 年分別佔全球 NAND Flash 預期需求的 2.8% 與 9.3%，需求成長力道極為強勁。
市場價格漲勢兇猛 企業級 SSD 漲幅上看 100%
市場研究機構 TrendForce 指出，由於供應商維持保守的產能策略，NAND Flash 合約價格已展現強勁漲幅。IDC 亦觀察到，今年 NAND Flash 容量供應成長率預計僅約 17%，低於歷史平均值。
野村證券的管道檢查顯示，記憶體供應商正持續推高價格，其中企業級 NAND Flash 價格漲幅尤為驚人。例如，SanDisk 面向企業 SSD 的產品在特定月份漲幅甚至超過 100%。
隨著三星與 SK 海力士策略性收緊供應，加上 AI 驅動的企業級儲存需求進入高速成長期，NAND Flash 市場正從供過於求轉為持續性的供應緊缺。這股漲價壓力不僅限於 AI 伺服器領域，未來也將逐步蔓延至智慧型手機、個人電腦等消費性電子市場，產業供應鏈需提前應對成本上升帶來的挑戰。
