《Marketwatch 報導，因市場擔憂競爭升溫，記憶體晶片大廠美光近期股價走弱，不過德銀 (Deutsche Bank) 仍看好 AI 帶動的記憶體榮景將推升公司獲利能力，並將目標價上調至 500 美元，代表相較週二收盤價仍有約 33% 上行空間。
美光週二 (10 日) 收黑 2.67% 至每股 373.25 美元，今年以來漲幅高達 18%。
德銀分析師 Melissa Weathers 在最新報告中指出，受人工智慧浪潮推動，高頻寬記憶體 (HBM) 需求持續爆發，預期動態隨機存取記憶體 (DRAM) 供給緊張將一路延續至 2027 年，甚至可能拉長到 2028 年。
她強調，HBM 需求的快速成長正在改變記憶體產業供需結構，使本輪循環與以往不同。
HBM 透過堆疊 DRAM 製成，是輝達 (NVDA-US) 等先進 AI 晶片不可或缺的核心元件。美光目前是全球主要 HBM 供應商之一，與南韓 SK 海力士 (000660-KR) 及三星電子 (005930-KR) 並列。
Weathers 指出，相較於傳統 DRAM，HBM 約需要三倍以上的晶圓資源，意味製造所需「矽含量」大幅提高，正引發供應衝擊，而市場對此仍未充分理解，供給吃緊已讓美光等記憶體業者擁有更強的定價能力，並可與客戶簽訂長期合約，推動產業進入「結構性更高獲利」的環境。
她同時表示，新 DRAM 晶圓廠至少需要兩年才能投產，而現有產線也受到擴產限制，短期內供應端難以迅速回應需求增長。不過，隨著新產能逐步加入，供應限制可能在明年略為緩解。
市場近期對美光的壓力，部分來自競爭對手的進度消息。有報導指出，三星計畫在本月稍晚開始量產下一代 HBM4，並供輝達即將推出的 Vera Rubin GPU 使用，引發投資人擔心美光在 HBM 領域面臨更激烈競爭，美光股價也因此連續兩個交易日下跌。
德意志銀行仍維持對長期需求的樂觀看法。Weathers 預估，DRAM 位元需求到 2030 年前將以超過 15% 的年複合成長率成長，其中 HBM 位元需求成長更快，年複合成長率可望超過 30%。她指出，AI 加速器公司對 HBM 的需求呈現爆發式擴張，主要因新一代 AI 模型規模更大、上下文視窗更長，需要一次處理更多資料，進一步推升高效能記憶體需求。
不過，Weathers 也提醒，若 DRAM 價格持續上漲，可能推高終端產品的整體物料成本，未來仍存在「需求破壞」風險，即價格上升到一定程度後，可能導致終端客戶縮減採購。
美光預計將於週三美東時間上午 8 點 50 分出席 Wolfe Research 研討會並發表演說，市場也將關注公司對 HBM 供需與價格走勢的最新看法。
