在三星與 SK 海力士近期雙雙延遲第十代 NAND Flash 量產節點之際，日本鎧俠 (Kioxia) 率先拋出明確的量產時間表，試圖搶佔技術先機。
近日，鎧俠正式將第十代 BiCS10 3D NAND 快閃記憶體的量產列為 2026 財年 (2027 年 3 月止) 的首要戰略重點。
從技術規格來看，BiCS10 採用 332 層單元堆疊架構，相比現款 218 層的 BiCS8 增加約 52%，密度提升高達 59%，且配合 Toggle DDR 6.0 介面標準，其 I/O 傳輸速率從上一代的 3.6Gbps 提升至 4.8Gbps(增幅約 33%)，同時輸入功耗降低 10%、輸出功耗降低 34%，在標準 TLC 模式下可實現單顆 2Tb 的儲存容量。
BiCS10 沿用了 CMOS 直接鍵合陣列 (CBA) 架構，將邏輯電路與存儲陣列分別在不同晶圓製造後再鍵合，有效平衡密度與可靠性。
在生產佈局上，鎧俠將 BiCS10 量產任務分配至日本岩手縣北上市的 K2 新工廠，該廠配備專為高層 NAND 設計的設備，有效壓縮資本支出。
摩根士丹利 (大摩) 在最新報告將鎧俠列為產業首選標的，給予「優於大盤」評等，並將目標價從 3.3 萬日元大幅上調至 7 萬日元，潛在漲幅達 57%。
大摩看好鎧俠的核心邏輯在於，AI 推理需求持續爆發導致 NAND 供需吃緊，加上全產業鏈庫存偏低且廠商資本支出保守，供給難以快速釋出。
大摩強調，雖然 NAND 價格漲幅可能趨緩，但充沛的自由現金流將成為鎧俠股價核心支撐，預估 2027 至 2028 財年合計自由現金流將達 4 兆日元。
展望後市，大摩給出強勁財測數字，預估 6 月為止第一財季營收達 1.75 兆日元，季增率 75%，營業利潤 1.3 兆日元，營業利潤率衝上 74%。同時大幅上修平均售價 (ASP) 預期，今年漲幅從原先的 100% 上調至 240% 以上，僅在 2027 年預期回落 15% 至 20%。
