根據美國銀行最新研究報告，受技術升級導致舊廠關停、新廠建設周期拉長等因素影響，南韓晶圓產能年均實際增速恐低於 10%，遠不及官方設定「2030 年產能倍增」的政策目標，為全球半導體供給前景增添變數。
報告特別點名兩大記憶體巨頭進度明顯落後。SK 海力士至 2028 年的新增記憶體產能，可能僅為原定計畫的六分之一。
三星與 SK 海力士分別在位於光州及全羅北道的國家產業園區興建大型晶圓廠，但廠房建設與設備進駐的周期恐拉長至十年，遠超業界慣常的 2 至 3 年建廠期。
美銀指出，產能瓶頸主要來自兩方面：一是為導入先進製程，業者須關閉部分舊世代廠房進行改裝，導致有效產能青黃不接；二是新廠選址多為新建園區，從土地平整、基礎設施配套到潔淨室與高端設備調試，均需更長時間。此外，先進製程對電力、水資源及特種氣體的苛刻要求，也增加擴產難度。
南韓政府原盼透過龍仁、光州等巨型園區鞏固半導體霸主地位，但美銀數據顯示，即便資本開支維持高位，實際產出爬坡速度仍受限，這意味著全球記憶體晶片供應緊張局面可能延續，尤其 AI 相關的 HBM 等關鍵零件供不應求壓力短期難解。
市場正關注南韓政府是否將推出更強力的基礎建設補貼與行政簡化措施，以縮小目標與現實的落差。
