儘管記憶體相關股票近期經歷大幅波動，但記憶體市場仍然持續升溫，多家機構紛紛上調第三季度 DRAM 價格預期。
Counterpoint 預計第三季度 DRAM 平均售價（ASP）將環比上漲約 20%；TrendForce 相對保守，預計傳統 DRAM 上漲 13% 至 18%，NAND Flash 上漲 10% 至 15%；摩根士丹利則將 PC DRAM 第三季度漲幅預測由此前的 3% 至 8% 大幅上調至 15% 至 20%。
雖然各機構統計口徑略有差異，但共同傳遞出的信號十分一致——記憶體市場供給依然緊張，供需失衡尚未緩解。
SK 海力士管理層進一步強化了市場對長期供不應求的預期。在美國 IPO 之後，SK 海力士 CEO 與董事長均公開表示，記憶體供應緊張可能持續至 2030 年代。
與此同時，據市場消息，三星正尋求第三季度 DRAM ASP 最高環比上漲 20%，其中 LPDDR 產品漲幅甚至可能超過 20%。如果最終落地，這將是三星繼第一季度約 90%、第二季度約 60% 漲價後的連續第三次提價，明顯高於 TrendForce 的預測水平，也意味著美光和 SK 海力士大概率將同步跟進。
伺服器 DRAM 方面，TrendForce 預計第三季度合約價格將上漲 13% 至 18%，但不同客戶所承受的漲幅存在明顯差異。
由於美國大型雲服務商已簽署多年長期供應協議（LTA），其價格上漲受到一定限制；相反，未簽訂長期協議的客戶，以及超出 LTA 保障數量的額外採購需求，將承擔最大的漲價壓力。
據報導，SK 海力士計劃在新的長期協議中取消價格上限，使現貨市場上漲能夠直接反映到合約價格；而美光的長期供應協議（SCA）仍保留價格上下限機制。
HBM 持續佔用大量 DRAM 產能，成為傳統 DRAM 長期供給緊張的核心原因。
TrendForce 預計，2026 年 HBM 將佔三大原廠 22% 的 DRAM 晶圓投片量，但僅貢獻 9% 的 DRAM 位元（Bit）產出；到 2027 年，這兩個數字將進一步提升至 30% 和 13%。
也就是說，HBM 消耗了遠高於其產出的晶圓資源，因此即使三大記憶體廠持續擴大資本支出，傳統 DRAM 特別是伺服器 DRAM 仍可能長期維持供不應求的狀態。
HBM4 價格也正進入新一輪上漲週期。2027 年的 HBM4 長期供貨合約預計將在 2026 年第四季度啟動談判。
根據 Digitimes 模型預測，HBM4 價格將從 2026 年下半年約 2 美元 / Gb，上漲至 2027 年的 4 至 5 美元 / Gb，約一年時間實現翻倍。
NAND 市場同樣維持緊張格局。摩根士丹利認為，NAND 供應不足將持續至 2027 年；TrendForce 則預計，成熟 SLC NAND 價格將在 2026 年下半年上漲 120% 至 170%，主要受成熟製程產能持續萎縮以及 MLC 向 SLC 應用遷移的推動。
這將利好 Sandisk、鎧俠和美光等 NAND 廠商，而慧榮科技也有望受益於 NAND 控制器需求增長。
與此同時，NAND 產業鏈投資持續推進。鎧俠已提交美國 ADS 上市申請；Sandisk 近期已將 NAND 產品價格上調雙位數，並將與鎧俠的合資協議延長至 2034 年。另一方面，美光近日正式啟動日本廣島約 1.5 萬億日元擴產項目建設，目標於 2028 年夏季開始量產先進 DRAM 及 HBM 產品，為下一階段 AI 記憶體需求增長提前布局。
