龐大商機總會引來強勁競爭。記憶體晶片熱潮正讓美光科技大嚐甜頭，但中國企業也對這塊市場虎視眈眈，意味著美光(MU-US) 必須加快腳步推進新一代硬體研發，才能維持競爭優勢。
中國記憶體晶片業者長江存儲（YMTC）近日已申請在上海首次公開募股（IPO），計劃籌資49億美元。繼中國同業長鑫存儲（CXMT）IPO大獲成功後，長江存儲上市並不令人意外，但這也代表將有更多資金流向與美光競爭的產品。
相較於長鑫存儲，長江存儲對美光的威脅較小，主因兩者產品線重疊度不高。長江存儲專攻NAND快閃記憶體，這塊業務僅佔美光營收約四分之一，其餘則來自DRAM動態隨機存取記憶體。
兩者的規模差距也讓美光股價吃下一顆定心丸，長江存儲揭露的第一季營收約為70億美元，而美光最近一季營收則高達415億美元。
不過，雙方差距仍有縮小的可能。研調機構Counterpoint Research指出，今年第一季長江存儲的NAND市佔率已從去年同期的8%攀升至13%，逼近美光的水準。隨著長江存儲計畫將募資所得投入產線升級，市場競爭短期內絲毫沒有放緩跡象。
由於西方企業採購中國製硬體受到限制，美光目前在一定程度上受到保護，免於直接面對中國業者競爭，但相關限制仍可能隨政治情勢而改變。
因此，美光最有效的防禦策略仍是持續創新，尤其是在高頻寬記憶體（HBM）領域。HBM是一種特殊的DRAM，也是人工智慧（AI）伺服器不可或缺的關鍵元件。
美光日前於加州史丹佛大學舉行的Hot Chips會議上發表專題演說，透露了未來的發展方向。該簡報聚焦於HBM，並指出提升記憶體頻寬的主要瓶頸在於散熱效能，以及將記憶體與AI晶片進行先進封裝。
此外，HBM對產能資源的需求相當高，每生產一單位HBM，所需半導體晶圓產能約為標準記憶體的3倍。因此，擴大HBM供應將排擠其他記憶體產品產能，進而推升整體產業價格。
如果美光能在下一代HBM競賽中，緊跟南韓競爭對手三星電子與SK海力士的腳步，那麼市場對中國業者競爭威脅的擔憂，或許就只會成為背景雜音。
