人工智慧（AI）基礎建設持續擴張，除了帶動輝達(NVDA-US) 等AI晶片需求，也讓記憶體市場迎來罕見的供需緊張。美銀全球研究（BofA Global Research）最新報告指出，在輝達釋出2027年營收成長約70%的展望之際，記憶體產業的成長幅度甚至可能更高，若價格漲勢延續，全球DRAM銷售額增幅有機會超過80%。
美銀近日發布最新一期《Global Memory Tech》週報。該行近期調查超過10家南韓及記憶體產業鏈企業，包括三星電子(005930KS) 、SK海力士(000660KS) 、南亞科(2408-TW) 、慧榮科技(SIMO-US) 、南韓印刷電路板（PCB）製造商ISU Petasys及大德電子等，認為AI需求仍可能支撐記憶體市場持續維持強勁景氣。
美銀目前預估，2027年全球DRAM銷售額將成長48%，主要由平均售價（ASP）上漲24%及出貨量增加19%帶動。不過，美銀認為這仍屬偏保守的基本情境。
該行認為，若2027年DRAM平均售價每季維持約10%的季增幅度，全年銷售額增幅可能突破80%；其中ASP年增約46%，再搭配出貨量成長19%，將成為推升DRAM市場規模的主要動力。
美銀認為，這波記憶體行情背後有三項主要驅動因素。
首先，輝達2027年約70%的營收成長展望，本身就是建立在AI晶片供應吃緊的環境下，且尚未完全反映後續訂單增加，以及Rubin、Vera等新平台進一步放量可能帶來的額外需求。
其次，Google(GOOGL-US) 、亞馬遜(AMZN-US) 、Meta(META-US) 等科技巨頭積極發展ASIC、TPU等自研晶片，對HBM、DRAM及NAND的需求同樣強勁，形成與輝達爭搶記憶體供應的局面。美銀認為，當大型買家增加，且願意支付更高價格時，記憶體供應商的議價能力也將進一步提高。
第三，長期供應協議（LTA）未必能限制價格上漲。即使輝達及大型雲端業者消化三大記憶體原廠的新增產能，蘋果(AAPL-US) 、中國OEM廠商及台灣模組業者若仍需要在公開市場搶貨，最終可能願意接受高於長約價格的報價。
DDR4價格一年暴漲879% NAND晶圓更飆近10倍
目前記憶體現貨市場的價格變化，更直接反映供需失衡程度。
根據美銀引用的DRAMeXchange數據，截至8月27日，16Gb DDR5現貨價格約54美元，年增800%；16Gb DDR4則達91美元，年增879%；8Gb DDR4約44美元，年增803%；256Gb NAND晶圓價格約16.8美元，年增979%。
其中，DDR4價格甚至高於DDR5。16Gb DDR4現貨價91美元，比16Gb DDR5的54美元高出近70%。美銀指出，合約市場上兩者價格目前約落在35至40美元，DDR5原本相對DDR4的價格溢價已經消失。
原因在於記憶體原廠持續將產能轉往HBM及伺服器DRAM，傳統DDR4受到產能縮減影響，反而成為市場上的稀缺產品。
伺服器記憶體價格同樣大幅上漲。64GB DDR5伺服器模組合約價格已達1480美元，DDR4版本也達1300美元。
NAND市場則呈現另一波強勁漲勢。512Gb NAND晶圓合約價格約26美元，相較2025年2月約2.5美元的低點，已上漲至約10倍。8月現貨價格在第二季盤整後重新走高。
美銀預估，9月記憶體現貨價格仍有10%至20%的上漲空間。根據渠道調查，9月DDR5現貨供需覆蓋率低於50%，模組廠及白牌OEM業者普遍反映，由於記憶體原廠優先滿足大型客戶需求，公開市場取得足量貨源並不容易。
三大記憶體原廠沒有積極擴充傳統DRAM
美銀對南韓記憶體產業的調查也顯示，供給端目前並未出現大幅擴產的跡象。
三星電子預計將有60%至70%的晶圓產能納入LTA長約，但合約價格仍可按季協商，也就是鎖定供應量而非價格。
三星近期積極投入的資本支出，主要集中在P4新廠的廠房及基礎設施建設，實際設備投資相對有限。新增產能也主要服務HBM，傳統DRAM及NAND並沒有明顯增加產能。美銀估計，即使到了明年，三星供應對需求的覆蓋率仍僅約50%至60%。
SK海力士方面則表示，所謂「降規」主要出現在PC、智慧手機及低階GPU、ASIC產品，高階新一代GPU的記憶體用量並未減少，反而持續增加。
即使龍仁新廠持續建設，潔淨室空間仍然吃緊，DRAM與NAND晶圓產能擴張依舊有限。SK海力士同時重申將維持超過50%的股東回報率，並執行8月至11月的40兆韓元庫藏股回購計畫。
這也凸顯本輪記憶體周期與過往的一項重大差異：即使記憶體價格及原廠獲利創下高點，業者仍優先把資源投入HBM、廠房建設及股東回報，而非大幅擴充傳統記憶體產能。
AI伺服器需求延燒至PCB 供應鏈全面吃緊
AI基礎建設帶來的需求也正向記憶體之外的供應鏈擴散，其中PCB及先進基板產業同樣受惠。
ISU Petasys近期取得大量GPU及ASIC相關訂單。Google TPU v8的高多層板預計在2026年第4季量產，並首次採用MultiLam製程，進一步推升產品平均售價。
此外，ISU Petasys也是微軟(MSFT-US) 下一代ASIC「Maia 300」的核心多層板供應商，並進入亞馬遜Trainium交換器供應鏈。
產能方面，ISU Petasys第五廠預計於2028年上半年投產，第六廠進入爬坡階段，第七廠則仍在評估，泰國廠也預計於今年第4季至明年初投產。
大德電子同樣在取得大型科技公司長約的同時擴大產能；LG Innotek則因應美國雲端業者需求增加，洽談具多年期及數量承諾的FC-BGA基板長約。
另一方面，三星物產的調查結果則顯示，隨著資料中心面臨電力供應瓶頸，SMR小型核電機組的商業化關鍵，可能不只是技術問題，也涉及融資與監管。
隨著AI伺服器同時推升HBM、先進基板及高多層PCB需求，供應鏈的緊張程度已從單一記憶體產品，擴大至整個AI基礎建設產業。
記憶體股估值偏低 市場仍擔心景氣反轉
AI需求強勁的同時，記憶體類股近期卻出現明顯修正。
以年初至今計算，美光科技(MU-US) 、南亞科、SK海力士及三星電子等主要記憶體業者股價仍維持約2至3倍漲幅，SanDisk (SNDKV-US) 與鎧俠漲幅更超過400%。
但從預估本益比來看，市場對2027年後的記憶體景氣仍抱持高度戒心。SK海力士2027年預期本益比約4.1倍，三星電子約4.5倍，美光約6.5倍，鎧俠則僅約3.3倍。
如此低的估值，也反映投資人擔心記憶體產業具有高度周期性，一旦供給增加或AI資本支出放緩，需求可能迅速反轉。
美銀的樂觀看法同樣存在幾項主要風險，包括LTA覆蓋率進一步提高後可能壓縮價格彈性、目前創紀錄的資本支出最終轉化為有效新增供給、「降規」從低階產品擴散至高階產品，以及AI資本支出能否持續。
不過，在供給端尚未大幅擴產的情況下，美銀認為，記憶體產業仍可能維持強勁的供需格局。這也使得市場目前約4倍的本益比，不只是周期高峰的警訊，同時也代表投資人對2027年以後需求的高度分歧。
