南韓記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 週二 (2 日) 宣布已成功研發出其最先進的 238 層 NAND 快閃記憶體晶片，計劃明年上半年開始大規模量產。
SK 海力士於美國聖塔克拉拉舉行的 2022 年快閃峰會上宣布，公司已向客戶交付 238 層 NAND 快閃記憶體晶片的樣品，這是全球層數最高、同時也是面積最小的 NAND 產品，將顯著提高生產力、數據傳輸速度和電源效率，以確保全球頂級競爭力。
與 SK 海力士 (000660-KR) 上一代產品相比， 238 層 NAND 晶片的傳輸數據速度提升 50%，數據消耗的能量降低 21%，比美光近期推出的 232 層 NAND 晶片堆疊層數更高。
SK 海力士 NAND 研發負責人 Jungdal Choi 稱：「我們將不斷創新，尋找技術挑戰的突破。」
SK 海力士近期在第二季財報會議上指出，儘管目前 DRAM 的平均售價 (ASP) 走低，但成本下降足以彌補 ASP 變化，公司將在年內完成 238 層 NAND 試產，將於 2023 年上半年開始大規模量產。
SK 海力士 2020 年 10 月宣布以 90 億美元收購英特爾 NAND 事業，包含英特爾的 NAND SSD 業務、NAND 元件與晶片業務，以及位於中國大連的 NAND Flash 晶圓廠。
英特爾 NAND 事業被 SK 海力士收購後更名為 Solidigm，助力 SK 海力士拿下全球 NAND Flash 市佔率的 18%，僅次於三星的 35.3% 和鎧俠的 18.9%。
