美國晶片巨擘英特爾週一 (18 日) 宣布推出業界首款用於下一代先進封裝的玻璃基板，計劃於 2026 年至 2030 年量產，憑藉單一封裝納入更多的電晶體，預計這將實現更強大的算力 (HashRate)，持續推進摩爾定律極限，這也是英特爾從封裝測試下手，迎戰台積電的新策略。
英特爾趕在創新日 (19 日) 活動開跑前，搶先宣布推出業界首款用於下一代先進封裝的玻璃基板方案。
英特爾稱在基板材料方面取得重大突破，新型玻璃基板將用於下一代先進晶片設計，將比現有有機材料更堅固、更高效。
英特爾 (INTC-US) 指出，玻璃基板可以承受更高的溫度，圖案變形減少 50%，並具有超低平坦度，可改善曝光深焦，並具有極其緊密的層間互連覆蓋所需的尺寸穩定性。
英特爾稱，憑藉這些功能，玻璃基板上的互連密度可以提高 10 倍，並允許實現高組裝良率的超大型封裝，該公司預計在 2026 至 2030 年推出完整的玻璃基板解決方案。
英特爾提及，玻璃基板重大突破使封裝技術能夠持續擴展，在單一封裝中容納 1 兆個電晶體的目標，並將摩爾定律延續到 2030 年之後。
英特爾預測：「我們將首先在人工智慧 (AI)、繪圖處理和資料中心等高性能領域看到使用玻璃基板的晶片。」
英特爾此一突破性成就是英特爾也在為其美國晶片代工廠增強先進封裝能力的另一個跡象，這也是英特爾迎戰台積電的新策略。
據報導，英特爾對手台積電 (TSM-US) 的亞利桑那州廠計劃生產 4 奈米和 3 奈米晶片，但目前並無在亞利桑那州或美國境內打造封裝廠的計畫，主要卡關因素是「成本高昂」，因此這些先進晶片不會在美國完成封裝。
英特爾先進封裝資深經理 Mark Gardner 於今年 5 月份指出，英特爾晶片製造工廠和組裝、測試、封裝站點分布在世界各地，相較台積電目前大部分晶片製造設施都在台灣，英特爾優勢在於提供安全供應鏈、分散地緣風險，也可提供客戶部分 IDM 流程，擁有更大的彈性選擇。
Gardner 稱：「英特爾晶圓製造服務願意讓客戶只使用服務的一部分，也就是說，他們可以委託其他晶圓代工業者生產晶片，英特爾只做封測。」
英特爾 (INTC-US) 微升 0.29% 至每股 37.99 美元，今年迄今漲幅超過 42%。
