EUV光源功率可提升至千瓦!艾司摩爾:2030年每小時晶圓產量可望提升50%

EUV光源功率可提升至千瓦!艾司摩爾:2030年每小時晶圓產量可望提升50%(圖:shutterstock)
EUV光源功率可提升至千瓦!艾司摩爾:2030年每小時晶圓產量可望提升50%(圖:shutterstock)

《路透社》周一 (23 日) 獨家報導指出,艾司摩爾最新表示,已找到可大幅提升關鍵晶片製造機器光源功率的方法,進而能在 2030 年前將晶片產量提高多達 50%。

這家半導體設備製造龍頭的研究人員指出,透過提升功率,可將光刻機極紫外光源的功率提升至 1000 瓦,預計到 2030 年極紫外光 (EUV) 微影設備每小時的晶圓產量可增加 50%。

艾司摩爾技術長 Michael Purvis 說:「這並非噱頭,也不是那種只能維持極短時間演示的把戲,這是一個能在滿足客戶所有實際需求的情況下,穩定產生 1000 瓦功率的系統。」

艾司摩爾是全球唯一能製造極紫外光 (EUV) 微影設備的公司,該設備是台積電、英特爾等晶圓製造商生產先進運算晶片的重要工具。


相關貼文

prev icon
next icon