隨著人工智慧 (AI) 技術由訓練轉向大規模推論，AI 伺服器對 NAND 快閃記憶體的需求正進入爆發式增長階段。據首爾經濟日報報導，三星已向輝達 (NVDA-US) 供貨第十代 V-NAND，並將約 60% 產能用於第九代產品，以滿足新型設備 CMX(上下文記憶體儲存) 需求。
CMX 驅動驚人需求
輝達的 CMX 設備採取獨立外置儲存架構，單台設備可搭載 576 顆固態硬碟 (SSD)，總儲存容量高達 9600 TB。業界分析師指出，CMX 對 NAND 的需求將從今年的 3500 萬 TB，明年激增至超過 1 億 TB。這一需求規模相當於在 NAND 市場中憑空增加了一個如「蘋果 (AAPL-US)」公司等級的大型客戶，對全球供應鏈的衝擊不容小覷。
三星三代技術並進
面對此一龐大商機，記憶體巨頭三星電子已迅速調整策略。三星目前每月的 V-NAND 晶圓產能超過 10 萬片，並已針對輝達的需求展開積極布局：
V9(第九代) 穩產：三星已將約 60% 的 V-NAND 產能配置於 V9 生產線，且良率已穩定在 80% 以上，成為供應 CMX 的核心產品。
V10(第十代) 量產：三星已於今年上半年啟動 V10 量產並開始向輝達供貨。V10 採用約 400 層堆疊架構，儲存密度較 V9 提升逾 50%，並首度商用「鉬 (Mo)」材料取代傳統的「鎢 (W)」配線，使配線厚度縮減 30% 至 40%。
V11(第十一代) 試產：目前已啟動試產，目標堆疊層數將衝刺至 400 到 500 層，預計下半年擴大試產規模以積累良率數據。
利潤創新高與消費端供貨吃緊
受惠於 AI 儲存需求的結構性成長，三星 2026 年的獲利預計將表現強勁。然而，輝達對高端 NAND 產能的大規模鎖定，意味著其他企業及消費級市場 (如一般 PC 或筆電 SSD) 的供給將被大幅擠壓。隨著供應收窄，未來市場價格面臨顯著的上行壓力，恐步入 DRAM 先前因 AI 需求導致缺貨漲價的後塵。
李在鎔與黃仁勳會晤
為了鞏固長期合作，三星電子董事長李在鎔預計近期將在舊金山與輝達執行長黃仁勳會面。雙方除了討論 HBM 高頻寬記憶體與下一代 NAND 的供貨安排外，預料也將針對在南韓建設資料中心等代工與儲存的全方位合作展開深入諮商，進一步深化兩大科技巨頭的同盟關係。
