南韓記憶體巨擘SK海力士將在美東時間8月27日於印第安那州舉辦先進封裝廠動工儀式，SK集團會長崔泰源、輝達執行長黃仁勳均被列入邀請名單，市場高度關注兩人是否同台釋出「美國產能再加碼」信號。
黃仁勳若出席，焦點在HBM4供應綁定。目前，SK海力士佔全球HBM份額約50%，是輝達Blackwell/Rubin算力棧的關鍵瓶頸供應商，在美設立封裝基地可縮短交期、規避出口與關稅變數。
業內人士解讀，若崔、黃27日同框，最可能釋出「印第安納封裝2028量產+後續評估前道廠」的階段式信號，而非一次性宣佈百億擴產。
SK海力士新廠投資金額達38.7億美元(約5.5兆韓元)，含先進封裝生產線與研發中心，今年上半年已啟動現場澆築，動工儀式後進入主體結構施工，目標2028下半年量產HBM等高頻寬記憶體封裝品。依《晶片與科學法案》，美國將給予最高4.5億美元直接補貼及5億美元貸款(合計約1.35兆韓元)。
崔泰源上月趁SK海力士ADR登陸那斯達克之際放話說：「只要電力、水源、人力、供應鏈到位，可在美國建記憶體晶片前道晶圓工廠。」
崔泰源這番發言向市場釋放出恐不只佈局封裝廠，還可能落地完整儲存產線的訊號。
《華爾街日報(WSJ)》此前曾報導指出，英特爾為俄亥俄州晶圓項目找營運夥伴，SK海力士是核心候選公司，但SK海力士對外僅回應「持續評估海外投資與併購」。
美國商務部長盧特尼克上月在美光紐約廠竣工現場點名三星、SK海力士，敦促把記憶體前道產能搬回美國，地緣壓力已從「邀請」轉向「點名」。
對SK海力士而言，這是繼龍仁、清州、利川後首座海外先進封裝據點，也是回應華府「產能回流」與綁定北美AI客戶的雙向佈局，而對黃仁勳來說，則是把HBM供應鏈從「韓國單極」推向「韓美雙源」的關鍵一站。
