人工智慧（AI）需求強勁成長，加上新一代記憶體技術持續推進，南韓兩大晶片巨頭三星電子(005930KS) 與SK海力士(000660KS) 正處於全球半導體景氣循環核心。隨著兩家公司第3季財報公布在即，市場高度關注其獲利表現，藉此觀察當前AI投資熱潮能否持續轉化為半導體企業的實際獲利。
《首爾經濟日報》引述FnGuide數據指出，市場預期三星電子第3季營收將達199.1兆韓元，營業利益105.6兆韓元；SK海力士營收及營業利益則分別預估為94.1兆韓元與74.1兆韓元。兩家公司合計營業利益可能接近189.9兆韓元，反映晶片供應吃緊下的市場需求。
不過，市場預期近期已出現調整。過去3個月，分析師將三星電子第3季營收與獲利預估分別下修2.6%及4.4%；SK海力士的營收與獲利預期也分別下調5.3%及5%。
相關調整主要受到韓元升值影響，使以美元計價的銷售額縮減，並非記憶體市場需求轉弱，但也讓匯率波動對兩大科技巨頭短期業績的影響受到市場關注。
除了營收與獲利規模，兩家公司即將公布的財報還將提供記憶體價格漲勢能否延續、長期供貨協議（LTA）對獲利的影響，以及下一代高頻寬記憶體（HBM）能否進一步轉化為獲利等訊號。
記憶體漲價速度放緩 LTA影響浮現
第2季DRAM與NAND 快閃記憶體平均售價（ASP）大幅上漲，是推動三星電子與SK海力士業績成長的主要動力。
進入第3季後，市場仍預期記憶體價格將持續走高，但漲幅可能放緩。Mirae Asset Securities預估，三星電子第3季DRAM ASP將上漲16.5%，但第4季漲幅可能縮小至5.4%，顯示價格反彈速度可能開始放緩。
長期供貨協議（LTA）的普及，也是影響記憶體價格與獲利的重要因素。
目前三星電子透過LTA鎖定約60%至70%的記憶體產能；SK海力士則已在第2季與約10家核心客戶完成LTA談判。
長約有助於企業穩定需求並降低記憶體產業價格劇烈波動的影響，但在價格快速上漲期間，由於合約價格通常落後現貨價格，也可能限制企業獲利向上成長的幅度。
HBM4進入量產競賽 AI記憶體需求升溫
下一代高頻寬記憶體HBM4同樣是第3季市場關注焦點。
隨著輝達(NVDA-US) 下一代AI平台Vera Rubin晶片出貨增加，三星電子預期第3季HBM4銷售額將較第2季增加逾一倍，並占2026年下半年HBM總營收逾60%。
SK海力士則需要在維持HBM3E市場領先地位的同時，持續擴大HBM4產能。第3季業績將提供市場觀察雙方HBM4競爭進展的初步線索。
根據《環球經濟》引述KB Securities報告，隨著Meta推出基於AI代理的AI應用Muse，AI服務正朝需要連續、順序操作及更高記憶體頻寬的方向發展。
KB Securities分析師Kim表示，AI資料中心中，GPU負責運算、CPU處理控制，而記憶體則負責資料供應與循環，因此AI資料中心的效能與效率，最終可能更加依賴記憶體。
這項變化也逐漸反映在整體半導體產業。超微半導體(AMD-US) 近期躋身由輝達、博通(AVGO-US) 與美光科技(MU-US) 組成的「兆美元市值俱樂部」，同時第2季資料中心營收年增107%，顯示市場對CPU與記憶體的關注度正快速提升，其重要性已不再低於GPU。
在產業布局方面，三星電子已開始關注下一代「zHBM」技術，計畫將記憶體直接堆疊在GPU上，並力拚在2027年底前提供樣品。
三星晶圓代工拚轉盈 DX部門面臨成本壓力
除了記憶體業務，三星電子晶圓代工業務的表現也受到市場關注。
三星晶圓代工自2023年以來持續虧損，但隨著4奈米語言處理單元（LPU）產能擴大及良率改善，市場普遍預期第3季有望轉虧為盈。若最終實現，將有助於改善長期拖累三星整體估值的晶圓代工業務。
另一方面，三星負責智慧手機及電視等業務的設備體驗（DX）部門則面臨零組件成本上升的壓力。
第2季儘管Galaxy Foldables等高階產品銷售強勁，仍未能抵銷零組件成本增加，DX部門錄得80億韓元營業虧損。隨著記憶體價格上漲，半導體部門獲利改善的同時，也增加終端硬體業務的成本壓力。
因此，第3季市場也將關注高階產品銷售能否抵銷成本上升，三星不同業務之間的獲利表現是否持續分化。
跨越「見頂」疑慮 市場重新檢視半導體長期估值
隨著第3季財報陸續公布，全球半導體市場的觀察重點，正逐漸從企業能賺多少錢，轉向這波獲利成長究竟能維持多久。
經歷過多輪景氣循環的投資人仍保持謹慎。若三星電子與SK海力士能證明LTA已穩定鎖定需求、HBM4能帶來可觀獲利，同時晶圓代工業務逐步恢復，這一輪半導體景氣循環的持續力道可能將與過去有所不同。
但若DRAM與NAND價格漲勢比預期更快降溫，或HBM4對獲利的實際貢獻低於市場預期，市場對半導體產業是否已經「見頂」的疑慮，也可能再次升溫。
未來幾週，三星電子與SK海力士的財報除了牽動兩家公司短期股價表現，也將成為市場判斷未來數年全球科技基礎建設投資趨勢的重要依據。
