三星電子正加速興建平澤第五園區（P5）首條量產生產線（Ph1），正與核心設備廠商協商將該生產線設備安裝節點提前，從原定明年第三季提前至明年第二季。
一期設備安裝預計明年5、6月啟動，二期NAND快閃記憶體投資方案也正在研討。市場解讀這是三星電子為應對AI領域高價值DRAM、NAND快閃記憶體需求激增、確保產能的舉措。
P5是三星電子在韓國本土投建的下一代大型晶圓廠，瞄準AI記憶體需求，目標是2028年投產。該項目分兩期推進，一期Ph1規劃生產DRAM與HBM高頻寬記憶體；二期Ph2尚在研討，有望建設為第十代NAND快閃記憶體產線。
自項目啟動以來，三星電子一直在為P5建設按下加速鍵。潔淨室是半導體資本開支早期環節，施工高峰平均領先設備搬入5～9個月，一直被視作半導體設備需求的前瞻指標。
此前三星電子計劃明年初建成P5 Ph1潔淨室，此後將工期提前約六個月。
業界人士表示：「三星電子計劃明年5月或6月啟動P5 Ph1設備進廠，而非原定7至8月。潔淨室建設提前已經調整過一輪進度，如今整體投資節奏再度加速。」
設備產業人士透露：「雖然三星電子尚未正式下達採購訂單，但三星電子正與合作廠商探討把P5Ph2建設為NAND產線。另外，由於目前設備交付周期（從產品訂購到採購所需的時間）非常長，三星電子要求提前確保相關零件供應。」
隨著人工智慧普及和基礎設施投資大幅增長，AI晶片和記憶體晶片的需求顯著增加，半導體設備需求水漲船高，零件短缺可能會成三星電子建廠阻礙。
據韓國科技媒體《ETNEWS》報導，業界人士9月16日透露，有半導體製造設備關鍵零件的交貨周期已延長一倍以上，產業正面臨供應短缺的困境。
韓國一位半導體設備產業人士預測：「半導體設備交付延誤，加上設備零件供應短缺，全球對半導體生產基礎設施的投資很可能被推遲。」他說道：「三星電子和SK海力士也會受到影響。」
