三星電子(005930KS) 正加速擴大高頻寬記憶體（HBM）布局，預計明年包括第六代 HBM4 與第七代 HBM4E 在內的 HBM4 系列產量，將較今年至少翻倍。相關跡象顯示，三星計畫把 HBM 製程使用的玻璃載體清洗量提高至今年的 2.5 倍，為後續擴產提前準備。
半導體業界消息指出，三星計畫將外包清洗的玻璃載體數量，由今年每月2萬片增至明年每月5萬片。去年每月清洗量僅1萬片，今年已翻倍，明年更將進一步增至今年的2.5倍。
玻璃載體是在 HBM 製程中，暫時安裝於 DRAM 晶圓底部的支撐結構，可避免晶圓在蝕刻與鑽孔過程中彎曲或破裂。由於 HBM 必須在有限厚度內堆疊多層 DRAM，隨著堆疊層數增加，晶圓減薄技術與翹曲控制的重要性也同步升高。
三星正積極籌備擴大 HBM4 與 HBM4E 產能，兩款產品主要採用12層以上的高堆疊結構。業界分析，即使玻璃載體清洗後可以重複使用，實際用量也會受到投料方式及各製程良率影響，但若相關需求增至2.5倍，HBM4系列產量明年至少翻倍的可能性相當高。
三星今年2月開始量產採用4奈米製程邏輯晶片、搭配第六代 1c DRAM 的 HBM4，5月也已向包括輝達（NVIDIA）在內的客戶提供12層 HBM4E 樣品。
業界預估，三星整體 HBM 產能明年將成長近四成，由今年每月約18萬片晶圓增至約25萬片。產品結構也將明顯轉向新一代規格，HBM4系列出貨占比預計由今年約四成升至明年約八成，主要受惠於 HBM4E 即將全面量產。業界人士指出，三星在擴大 HBM 產能之際，也將高價值的 HBM4 系列置於核心地位。
